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WMO26N65C4

产品详情

WMO26N65C4 产品介绍

WMO26N65C4 是上海维安半导体 (WAYON) 推出的一款N 沟道超结 MOSFET，属于其第四代 WMOS™ C4 系列产品，专为高压、高效开关电源应用设计，采用电荷平衡技术实现超低导通电阻和低栅极电荷性能。

一、核心参数规格

参数	数值	备注
型号	WMO26N65C4	维安 WMOS™ C4 系列超结 MOSFET
晶体管类型	N 沟道增强型	-
封装	TO-252 (DPAK)	表面贴装封装，适合高密度设计
漏源极电压 (VDS)	650V	最大额定值，结温最大时可达 700V
栅源极电压 (VGS)	±30V	最大额定值
导通电阻 (RDS (on))	典型值 0.16Ω，最大值 0.19Ω	@VGS=10V，25℃
漏极电流 (ID)	18A	@TA=25℃，连续直流电流
最大功耗 (PD)	135W	@TA=25℃
栅极阈值电压 (VGS (th))	2.5-4.0V	典型值 3.0V，ID=250μA 时
总栅极电荷 (Qg)	22.1nC	典型值，VGS=10V，VDS=325V 时
反向传输电容 (Crss)	68pF	典型值，VDS=25V，f=1MHz 时
工作温度范围	-55℃~150℃	结温 (Tj) 范围
UIS 测试	100% 通过	单脉冲雪崩能量测试合格
环保特性	无铅、无卤素	符合 RoHS 标准

二、技术特点与优势

第四代 WMOS™ C4 超结技术：采用先进的电荷平衡技术，实现导通电阻与栅极电荷的最佳平衡，显著降低开关损耗和导通损耗，提升电源转换效率
高电压裕量：在最大结温条件下漏源极电压可达 700V，提供额外的安全裕量，适合电网波动较大的应用场景
快速开关性能：低栅极电荷 (Qg) 和反向传输电容 (Crss) 设计，使器件具备出色的开关速度，减少开关过程中的能量损耗，提高系统效率
高雪崩能量耐受：100% 通过单脉冲雪崩能量测试 (UIS)，增强器件在异常工况下的可靠性，延长使用寿命
低栅极驱动需求：标准栅极阈值电压 (2.5-4.0V)，可与大多数 PWM 控制器直接兼容，降低驱动电路设计复杂度

三、典型应用领域

WMO26N65C4 凭借其优异的性能，广泛应用于需要高功率密度和卓越效率的各类电源系统：

应用类别	具体应用场景
开关电源 (SMPS)	PFC 升压电路、LLC 谐振变换器、反激式变换器
快充充电器	65W-140W 氮化镓 / 超级硅快充充电器、多口充电器
适配器	笔记本电脑适配器、显示器适配器、打印机适配器
照明设备	LED 驱动电源、工业照明电源
消费电子	液晶电视电源板、PC 电源、服务器电源
工业设备	工业电源、通信电源、充电桩辅助电源

四、系列产品对比

维安 WMOS™ C4 系列 26N65 型号根据封装不同有多个版本，核心电气参数基本一致：

型号	封装	主要区别
WML26N65C4	TO-220F	直插封装，散热性能好，适合大电流应用
WMN26N65C4	TO-262	直插封装，引脚布局不同
WMO26N65C4	TO-252 (DPAK)	表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计
WMZ26N65C4	DFN8×8	无引脚封装，极低寄生电感，适合高频应用

五、制造商信息

** 上海维安半导体 (WAYON)** 成立于 1996 年，是全球领先的半导体功率器件和电路保护器件供应商之一，产品涵盖过流保护 (PPTC、CPTC、保险丝)、过压保护 (TVS、晶闸管、ESD)、过温保护 (热熔断器) 以及功率 MOSFET、BMS、保护 IC 等，广泛应用于工业设备和消费电子领域。

WMO26N65C4 作为其 WMOS™ C4 系列超结 MOSFET 的重要成员，体现了维安在功率半导体领域的技术实力，为各类电源系统提供高效、可靠的开关解决方案。

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