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WMJ36N65F2

WMJ36N65F2
产品参数

维安超结MOSFET 联系人: 曾先生 153-3800-0102

产品详情

WMJ36N65F2 MOSFET参数详解

产品基本信息

  • 制造商:Wayon(维安)

  • 型号:WMJ36N65F2

  • 描述:N-Channel SJ-MOSFET

  • 封装类型:TO-247

技术参数详解

电气特性

  • 最大漏极电压 (VDS):650V

  • 导通电阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.):0.105Ω

  • 漏极电流 (ID) @ TA=25℃:36A

  • 功率损耗 (PD) @ TA=25℃:277W

  • 栅极电压 (VGS):30V

  • 栅极阈值电压 (VGS(th)):(Typ.) 4V


市场供应信息

  • 供应商:东莞市美瑞电子有限公司

  • 主营业务:专注于销售功率半导体元器件,包括进口semihow和维安 亚成微 龙腾等多种MOSFET产品。

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