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WMK93N20JN

产品详情

WMx93N20JN 是 WAYON 推出的 N 沟道 200V 功率 MOSFET 系列（包含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL/WML 型号），核心优势为典型导通电阻 7.3mΩ、栅极电荷最小化、100% UIS 测试、无铅无卤素且 RoHS 合规，关键额定参数包括连续漏极电流 136A（Tc=25°C）、脉冲漏极电流 408A、雪崩能量 650mJ，支持 TO-220、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL 等多种封装，适用于对功率密度和效率有高要求的开关应用。

1. 产品概述

产品系列：WMx93N20JN（包含子型号：WMK93N20JN、WMM93N20JN、WMN93N20JN、WMJ93N20JN、WMLL93N20JN、WML93N20JN）
产品类型：N 沟道 200V 功率 MOSFET
核心定位：适用于对功率密度和效率有卓越要求的应用场景
文档信息：版本 Rev.2.0（2024），文档编号 W0820007

2. 核心特性

电气特性：栅极电荷最小化，典型导通电阻 RDS(on)=7.3mΩ（VGS=10V、ID=30A、Tj=25°C）
可靠性：100% UIS 测试（非钳位感性开关测试）
环保合规：无铅镀层、无卤素、RoHS 合规
温度适配：工作和存储温度范围 -55°C 至 + 150°C

3. 绝对最大额定值（Tc=25°C，除非另有说明）

参数	符号	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	单位
漏源电压	VDSS	200	-	V
连续漏极电流（Tc=25°C）	ID	136	-	A
连续漏极电流（Tc=100°C）	ID	82	-	A
脉冲漏极电流	IOM	408	-	A
栅源电压	VGS	±20	-	V
单脉冲雪崩能量	EAS	650	-	mJ
重复雪崩能量	EAR	0.3	-	mJ
重复雪崩电流	IAR	4	-	A
功率损耗（Tc=25°C）	PO	290	34	W
功率损耗降额系数（>25°C）	PO Derate	2.32	0.27	W/°C
连续二极管正向电流	IS	136	-	A
二极管脉冲电流	IS.pulse	408	-	A

4. 热特性

参数	符号	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	单位
结壳热阻	RθJC	3.6	0.43	°C/W
结环境热阻	RθJA	80	62	°C/W

5. 电气特性（Tj=25°C，除非另有说明）

（1）静态特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V、ID=1mA	200	-	-	V
栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS、ID=0.25mA	2.2	3.2	4.2	V
漏极截止电流（Tj=25°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	1	30	μA
漏极截止电流（Tj=125°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	30	-	μA
正向栅极泄漏电流	IGSSF	VGS=20V、VDS=0V	-	-	500	nA
漏源导通电阻	RDS(on)	VGS=10V、ID=30A	7	7.3	8.6	mΩ

（2）动态特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电容	Ciss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	5290	-	pF
输出电容	Coss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	187	-	pF
反向传输电容	Crss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	32	-	pF
导通延迟时间	td(on)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	16	-	ns
上升时间	tr	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	49	-	ns
关断延迟时间	td(off)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	43	-	ns
下降时间	tf	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	11	-	ns

（3）反向二极管特性

参数	符号	测试条件	典型值	最大值	单位
二极管正向电压	VSD	VGS=0V、IF=30A	-	1.2	V
反向恢复时间	trr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	65	ns
反向恢复电荷	Qrr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	0.65	-	μC
峰值反向恢复电流	Irrm	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	8.7	A

6. 封装类型及订购信息

型号	封装	标记	包装方式
WML93N20JN	TO-220F	WML93N20JN	管状（Tube）
WMK93N20JN	TO-220	WMK93N20JN	管状（Tube）
WMN93N20JN	TO-262	WMN93N20JN	管状（Tube）
WMM93N20JN	TO-263	WMM93N20JN	卷带包装（Tape and Reel）
WMLL93N20JN	TO-LL	WMLL93N20JN	卷带包装（Tape and Reel）
WMJ93N20JN	TO-247	WMJ93N20JN	管状（Tube）

7. 机械尺寸（关键尺寸，单位：mm）

封装	关键尺寸范围（MIN-MAX）
TO-220F	A:9.96-10.36、B:15.10-16.10、C:3.03-3.38
TO-263	A:4.37-4.89、E:9.80-10.40、L:2.00-2.70
TO-262	A:4.37-4.90、D:23.20-24.02、L:13.33-14.16
TO-220	A:9.70-10.30、F:15.10-16.90、J:9.25-11.00
TO-LL	A:2.15-2.45、D:10.1-10.6、H:11.38-11.88
TO-247	A:4.80-5.21、D:20.70-21.30、L:19.62-20.32

8. 应用场景

核心应用：开关应用（需高功率密度、高效率的电力电子场景）

免责声明：产品不设计用于航空、核能、医疗设备等高危环境；WAYON 保留变更产品参数的权利，文档信息不构成特性或条件保证。

4. 关键问题及答案

问题 1：WMx93N20JN 系列 MOSFET 的核心电气额定参数有哪些，可支撑其高功率应用的关键指标是什么？

答案：核心电气额定参数包括：漏源电压 200V、连续漏极电流 136A（Tc=25°C）、脉冲漏极电流 408A、单脉冲雪崩能量 650mJ；支撑高功率应用的关键指标是低典型导通电阻 7.3mΩ（减少导通损耗）、大电流承载能力（136A 连续 / 408A 脉冲）、高雪崩能量（650mJ，提升感性负载开关可靠性），以及宽温度适配范围（-55°C 至 + 150°C）。

问题 2：该系列 MOSFET 有哪些封装类型，不同封装对应的包装方式和核心热阻差异是什么？

答案：封装类型包括 TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、TO-247、TO-LL；包装方式分为两类：管状（Tube）适用于 TO-220、TO-220F、TO-262、TO-247 型号，卷带包装（Tape and Reel）适用于 TO-263、TO-LL 型号；核心热阻差异：结壳热阻（RθJC）方面，WML 型号（TO-220F）最低为 0.43°C/W，其他型号（如 TO-220、TO-262 等）为 3.6°C/W；结环境热阻（RθJA）WML 型号 62°C/W，其他型号 80°C/W，TO-220F 封装的热扩散能力更优。

问题 3：WMx93N20JN 系列的反向二极管特性如何，其动态开关性能参数对开关应用有何影响？

答案：反向二极管特性：正向电压最大值 1.2V（IF=30A）、反向恢复时间最大值 65ns、反向恢复电荷典型值 0.65μC、峰值反向恢复电流最大值 8.7A，低正向电压和短反向恢复时间可减少续流损耗；动态开关性能参数包括：导通延迟时间 16ns、上升时间 49ns、关断延迟时间 43ns、下降时间 11ns，快速的开关速度（ns 级延迟和过渡时间）可降低开关损耗，配合低输入电容（典型 5290pF）减少驱动损耗，使产品更适配高频开关应用场景。

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1. 产品概述

产品系列：WMx93N20JN（包含子型号：WMK93N20JN、WMM93N20JN、WMN93N20JN、WMJ93N20JN、WMLL93N20JN、WML93N20JN）
产品类型：N 沟道 200V 功率 MOSFET
核心定位：适用于对功率密度和效率有卓越要求的应用场景
文档信息：版本 Rev.2.0（2024），文档编号 W0820007

2. 核心特性

电气特性：栅极电荷最小化，典型导通电阻 RDS(on)=7.3mΩ（VGS=10V、ID=30A、Tj=25°C）
可靠性：100% UIS 测试（非钳位感性开关测试）
环保合规：无铅镀层、无卤素、RoHS 合规
温度适配：工作和存储温度范围 -55°C 至 + 150°C

3. 绝对最大额定值（Tc=25°C，除非另有说明）

参数	符号	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	单位
漏源电压	VDSS	200	-	V
连续漏极电流（Tc=25°C）	ID	136	-	A
连续漏极电流（Tc=100°C）	ID	82	-	A
脉冲漏极电流	IOM	408	-	A
栅源电压	VGS	±20	-	V
单脉冲雪崩能量	EAS	650	-	mJ
重复雪崩能量	EAR	0.3	-	mJ
重复雪崩电流	IAR	4	-	A
功率损耗（Tc=25°C）	PO	290	34	W
功率损耗降额系数（>25°C）	PO Derate	2.32	0.27	W/°C
连续二极管正向电流	IS	136	-	A
二极管脉冲电流	IS.pulse	408	-	A

4. 热特性

参数	符号	WMK/WMM/WMN/WMJ/WMLL	WML	单位
结壳热阻	RθJC	3.6	0.43	°C/W
结环境热阻	RθJA	80	62	°C/W

5. 电气特性（Tj=25°C，除非另有说明）

（1）静态特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V、ID=1mA	200	-	-	V
栅极阈值电压	VGS(th)	VDS=VGS、ID=0.25mA	2.2	3.2	4.2	V
漏极截止电流（Tj=25°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	1	30	μA
漏极截止电流（Tj=125°C）	IDSS	VDS=2000V、VGS=0V	-	30	-	μA
正向栅极泄漏电流	IGSSF	VGS=20V、VDS=0V	-	-	500	nA
漏源导通电阻	RDS(on)	VGS=10V、ID=30A	7	7.3	8.6	mΩ

（2）动态特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电容	Ciss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	5290	-	pF
输出电容	Coss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	187	-	pF
反向传输电容	Crss	VDS=100V、VGS=0V、f=1MHz	-	32	-	pF
导通延迟时间	td(on)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	16	-	ns
上升时间	tr	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	49	-	ns
关断延迟时间	td(off)	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	43	-	ns
下降时间	tf	VDD=100V、ID=30A、RG=4.7Ω、VGS=10V	-	11	-	ns

（3）反向二极管特性

参数	符号	测试条件	典型值	最大值	单位
二极管正向电压	VSD	VGS=0V、IF=30A	-	1.2	V
反向恢复时间	trr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	65	ns
反向恢复电荷	Qrr	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	0.65	-	μC
峰值反向恢复电流	Irrm	VR=50V、IF=30A、dIF/dt=100A/μs	-	8.7	A

6. 封装类型及订购信息

型号	封装	标记	包装方式
WML93N20JN	TO-220F	WML93N20JN	管状（Tube）
WMK93N20JN	TO-220	WMK93N20JN	管状（Tube）
WMN93N20JN	TO-262	WMN93N20JN	管状（Tube）
WMM93N20JN	TO-263	WMM93N20JN	卷带包装（Tape and Reel）
WMLL93N20JN	TO-LL	WMLL93N20JN	卷带包装（Tape and Reel）
WMJ93N20JN	TO-247	WMJ93N20JN	管状（Tube）

7. 机械尺寸（关键尺寸，单位：mm）

封装	关键尺寸范围（MIN-MAX）
TO-220F	A:9.96-10.36、B:15.10-16.10、C:3.03-3.38
TO-263	A:4.37-4.89、E:9.80-10.40、L:2.00-2.70
TO-262	A:4.37-4.90、D:23.20-24.02、L:13.33-14.16
TO-220	A:9.70-10.30、F:15.10-16.90、J:9.25-11.00
TO-LL	A:2.15-2.45、D:10.1-10.6、H:11.38-11.88
TO-247	A:4.80-5.21、D:20.70-21.30、L:19.62-20.32

8. 应用场景

核心应用：开关应用（需高功率密度、高效率的电力电子场景）

免责声明：产品不设计用于航空、核能、医疗设备等高危环境；WAYON 保留变更产品参数的权利，文档信息不构成特性或条件保证。

4. 关键问题及答案

问题 1：WMx93N20JN 系列 MOSFET 的核心电气额定参数有哪些，可支撑其高功率应用的关键指标是什么？

问题 2：该系列 MOSFET 有哪些封装类型，不同封装对应的包装方式和核心热阻差异是什么？

问题 3：WMx93N20JN 系列的反向二极管特性如何，其动态开关性能参数对开关应用有何影响？

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1. 产品概述

2. 核心特性

3. 绝对最大额定值（Tc=25°C，除非另有说明）

4. 热特性

5. 电气特性（Tj=25°C，除非另有说明）

（1）静态特性

（2）动态特性

（3）反向二极管特性

6. 封装类型及订购信息

7. 机械尺寸（关键尺寸，单位：mm）

8. 应用场景

4. 关键问题及答案

问题 1：WMx93N20JN 系列 MOSFET 的核心电气额定参数有哪些，可支撑其高功率应用的关键指标是什么？

问题 2：该系列 MOSFET 有哪些封装类型，不同封装对应的包装方式和核心热阻差异是什么？

问题 3：WMx93N20JN 系列的反向二极管特性如何，其动态开关性能参数对开关应用有何影响？

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名称：WMK93N20JN

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1. 产品概述

2. 核心特性

3. 绝对最大额定值（Tc=25°C，除非另有说明）

4. 热特性

5. 电气特性（Tj=25°C，除非另有说明）

（1）静态特性

（2）动态特性

（3）反向二极管特性

6. 封装类型及订购信息

7. 机械尺寸（关键尺寸，单位：mm）

8. 应用场景

4. 关键问题及答案

问题 1：WMx93N20JN 系列 MOSFET 的核心电气额定参数有哪些，可支撑其高功率应用的关键指标是什么？

问题 2：该系列 MOSFET 有哪些封装类型，不同封装对应的包装方式和核心热阻差异是什么？

问题 3：WMx93N20JN 系列的反向二极管特性如何，其动态开关性能参数对开关应用有何影响？