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WMO27N65XJ

产品详情

WAYON 的WMx27N65XJ 系列超结 MOSFET，基于电荷平衡技术，具备低导通电阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）、高漏源电压（VDS=650V）核心优势，支持 TO-220、TO-252、TO-262 等多种封装，通过 100% UIS 测试，采用无铅无卤素工艺且符合 RoHS 标准，工作温度范围为 - 55℃至 + 150℃，适用于 LED 照明、充电器、适配器、PC、LCD TV 及服务器等场景，可提供出色的功率密度和效率。

一、产品基础信息

品牌与系列：WAYON 旗下WMx27N65XJ 系列超结 MOSFET（含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO/WML 六个子型号），属于WMOS™ XJ 新一代产品
核心技术：采用电荷平衡技术，主打低导通电阻和低栅极电荷性能
核心定位：满足高功率密度、高效率需求的功率半导体器件

二、核心特性

关键性能亮点：
- 高耐压：漏源电压（VDS）达 650V，击穿电压（BVDSS）≥650V
- 低导通损耗：典型导通电阻（RDS (on)）仅 0.135Ω（VGS=10V、ID=6A、Tc=25℃）
- 高可靠性：100% UIS（无钳位感性开关）测试
- 环保合规：无铅镀层、无卤素设计，符合 RoHS 标准
工作环境：
- 工作 / 存储温度范围：-55℃~+150℃
- 栅源电压耐受：±30V

三、关键参数汇总（核心数据）

（1）绝对最大额定值（部分关键参数）

参数	符号	规格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	规格（WML）	单位
漏源电压	VDS	650	650	V
连续漏电流（Tc=25℃）	ID	21	21	A
连续漏电流（Tc=100℃）	ID	12	12	A
脉冲漏电流	IDM	47	47	A
功率损耗（Tc=25℃）	PD	135	31	W
功率损耗衰减率	-	1.08	0.25	W/℃
雪崩能量（单脉冲）	EAS	210	210	mJ

（2）热特性参数

参数	符号	规格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	规格（WML）	单位
结到壳热阻	RθJC	0.9	4	℃/W
结到环境热阻	RθJA	62	80	℃/W

（3）核心电气特性（Tc=25℃）

特性类别	参数	符号	规格范围	典型值	单位
静态特性	栅极阈值电压	VGS(th)	2~4	3	V
静态特性	漏极截止电流（25℃）	IDSS	-~1	3	μA
动态特性	输入电容	Ciss	-~1170	1170	pF
动态特性	开通延迟时间	td(on)	-~24	24	ns
动态特性	关断延迟时间	td(off)	-~30	30	ns
栅极电荷特性	总栅极电荷	Qg	-~24	24	nC
二极管特性	正向电压	VSD	-~1.2	-	V
二极管特性	反向恢复时间	trr	-~298	298	ns

四、封装与包装信息

（1）封装类型及对应型号

型号	封装类型	包装方式	标记
WML27N65XJ	TO-220F	Tube	WML27N65XJ
WMK27N65XJ	TO-220	Tube	WMK27N65XJ
WMN27N65XJ	TO-262	Tube	WMN27N65XJ
WMM27N65XJ	TO-263	Tape and Reel	WMM27N65XJ
WMO27N65XJ	TO-252	Tape and Reel	WMO27N65XJ
WMJ27N65XJ	TO-247	Tube	WMJ27N65XJ

（2）典型封装尺寸（TO-252 示例）

符号	最小尺寸（MM）	最大尺寸（MM）
A	6.40	6.80
B	5.13	5.50
C	0.88	1.28
D	5.90	6.22
E	0.68	1.10

五、应用场景

照明类：LED Lighting
电源类：Charger（充电器）、Adapter（适配器）
消费电子 / 服务器：PC、LCD TV、Server

六、其他说明

文档版本：Rev.2.0（2025 年）
免责声明：产品不设计用于航空、核能、医疗等可能导致人身伤害的高危场景，参数可能变更，不保证第三方知识产权无侵权

4. 关键问题及答案

问题 1：WMO27N65XJ 系列 MOSFET 的核心竞争优势的是什么？适用于哪些高要求场景？

答案：核心竞争优势包括三点：① 性能优势：采用电荷平衡技术，实现低导通电阻（Typ.RDS (on)=0.135Ω）和高耐压（VDS=650V），兼顾低损耗与高功率密度；② 可靠性优势：100% UIS 测试，工作温度范围宽（-55℃~+150℃），适应严苛环境；③ 合规优势：无铅无卤素，符合 RoHS 标准，满足环保要求。适用于对效率、功率密度和可靠性均有高要求的场景，如 LED 照明驱动、高性能充电器 / 适配器、PC 电源、LCD TV 电源及服务器电源等。

问题 2：该系列产品的关键电气参数中，栅极阈值电压、最大连续漏电流及结到壳热阻的规格范围分别是多少？不同子型号的差异主要体现在哪里？

答案：关键参数规格：① 栅极阈值电压（VGS (th)）：2~4V（Typ.3V）；② 最大连续漏电流（ID）：21A（Tc=25℃）、12A（Tc=100℃）；③ 结到壳热阻（RθJC）：0.9℃/W（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）、4℃/W（WML）。不同子型号的核心差异在于封装类型（对应不同的热阻、功率损耗及包装方式），电气性能核心参数（如 VDS、ID、RDS (on) 典型值）基本一致，仅部分热特性和功率损耗参数因封装不同有所区别。

问题 3：WMO27N65XJ 型号对应的封装类型、包装方式是什么？其典型应用场景下，核心性能如何支撑应用需求？

答案：WMO27N65XJ 对应的封装类型为TO-252，包装方式为Tape and Reel（卷带包装），适合自动化贴装生产。核心性能对应用场景的支撑：① 低导通电阻（0.135Ω Typ.）降低导通损耗，提升充电器、适配器的转换效率；② 高耐压（650V）确保在 AC-DC 转换等高压场景下的稳定性；③ TO-252 封装的紧凑尺寸的适合空间受限的电子设备（如小型充电器、LED 驱动模块），同时卷带包装适配批量生产，满足消费电子的规模化需求。

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一、产品基础信息

品牌与系列：WAYON 旗下WMx27N65XJ 系列超结 MOSFET（含 WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO/WML 六个子型号），属于WMOS™ XJ 新一代产品
核心技术：采用电荷平衡技术，主打低导通电阻和低栅极电荷性能
核心定位：满足高功率密度、高效率需求的功率半导体器件

二、核心特性

关键性能亮点：
- 高耐压：漏源电压（VDS）达 650V，击穿电压（BVDSS）≥650V
- 低导通损耗：典型导通电阻（RDS (on)）仅 0.135Ω（VGS=10V、ID=6A、Tc=25℃）
- 高可靠性：100% UIS（无钳位感性开关）测试
- 环保合规：无铅镀层、无卤素设计，符合 RoHS 标准
工作环境：
- 工作 / 存储温度范围：-55℃~+150℃
- 栅源电压耐受：±30V

三、关键参数汇总（核心数据）

（1）绝对最大额定值（部分关键参数）

参数	符号	规格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	规格（WML）	单位
漏源电压	VDS	650	650	V
连续漏电流（Tc=25℃）	ID	21	21	A
连续漏电流（Tc=100℃）	ID	12	12	A
脉冲漏电流	IDM	47	47	A
功率损耗（Tc=25℃）	PD	135	31	W
功率损耗衰减率	-	1.08	0.25	W/℃
雪崩能量（单脉冲）	EAS	210	210	mJ

（2）热特性参数

参数	符号	规格（WMK/WMM/WMN/WMJ/WMO）	规格（WML）	单位
结到壳热阻	RθJC	0.9	4	℃/W
结到环境热阻	RθJA	62	80	℃/W

（3）核心电气特性（Tc=25℃）

特性类别	参数	符号	规格范围	典型值	单位
静态特性	栅极阈值电压	VGS(th)	2~4	3	V
静态特性	漏极截止电流（25℃）	IDSS	-~1	3	μA
动态特性	输入电容	Ciss	-~1170	1170	pF
动态特性	开通延迟时间	td(on)	-~24	24	ns
动态特性	关断延迟时间	td(off)	-~30	30	ns
栅极电荷特性	总栅极电荷	Qg	-~24	24	nC
二极管特性	正向电压	VSD	-~1.2	-	V
二极管特性	反向恢复时间	trr	-~298	298	ns

四、封装与包装信息

（1）封装类型及对应型号

型号	封装类型	包装方式	标记
WML27N65XJ	TO-220F	Tube	WML27N65XJ
WMK27N65XJ	TO-220	Tube	WMK27N65XJ
WMN27N65XJ	TO-262	Tube	WMN27N65XJ
WMM27N65XJ	TO-263	Tape and Reel	WMM27N65XJ
WMO27N65XJ	TO-252	Tape and Reel	WMO27N65XJ
WMJ27N65XJ	TO-247	Tube	WMJ27N65XJ

（2）典型封装尺寸（TO-252 示例）

符号	最小尺寸（MM）	最大尺寸（MM）
A	6.40	6.80
B	5.13	5.50
C	0.88	1.28
D	5.90	6.22
E	0.68	1.10

五、应用场景

照明类：LED Lighting
电源类：Charger（充电器）、Adapter（适配器）
消费电子 / 服务器：PC、LCD TV、Server

六、其他说明

文档版本：Rev.2.0（2025 年）
免责声明：产品不设计用于航空、核能、医疗等可能导致人身伤害的高危场景，参数可能变更，不保证第三方知识产权无侵权

4. 关键问题及答案

问题 1：WMO27N65XJ 系列 MOSFET 的核心竞争优势的是什么？适用于哪些高要求场景？

问题 2：该系列产品的关键电气参数中，栅极阈值电压、最大连续漏电流及结到壳热阻的规格范围分别是多少？不同子型号的差异主要体现在哪里？

问题 3：WMO27N65XJ 型号对应的封装类型、包装方式是什么？其典型应用场景下，核心性能如何支撑应用需求？

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（2）热特性参数

（3）核心电气特性（Tc=25℃）

四、封装与包装信息

（1）封装类型及对应型号

（2）典型封装尺寸（TO-252 示例）

五、应用场景

六、其他说明

4. 关键问题及答案

问题 1：WMO27N65XJ 系列 MOSFET 的核心竞争优势的是什么？适用于哪些高要求场景？

问题 2：该系列产品的关键电气参数中，栅极阈值电压、最大连续漏电流及结到壳热阻的规格范围分别是多少？不同子型号的差异主要体现在哪里？

问题 3：WMO27N65XJ 型号对应的封装类型、包装方式是什么？其典型应用场景下，核心性能如何支撑应用需求？

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名称：WMO27N65XJ

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三、关键参数汇总（核心数据）

（1）绝对最大额定值（部分关键参数）

（2）热特性参数

（3）核心电气特性（Tc=25℃）

四、封装与包装信息

（1）封装类型及对应型号

（2）典型封装尺寸（TO-252 示例）

五、应用场景

六、其他说明

4. 关键问题及答案

问题 1：WMO27N65XJ 系列 MOSFET 的核心竞争优势的是什么？适用于哪些高要求场景？

问题 2：该系列产品的关键电气参数中，栅极阈值电压、最大连续漏电流及结到壳热阻的规格范围分别是多少？不同子型号的差异主要体现在哪里？

问题 3：WMO27N65XJ 型号对应的封装类型、包装方式是什么？其典型应用场景下，核心性能如何支撑应用需求？