业务联系1533800-0102 曾先生
维安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N沟道超结型功率MOSFET，专为高压应用设计。以下是其关键参数和特性概述：
- 型号：WMJ36N65F2
- 封装：TO-247
- 电压耐受：漏源击穿电压（VDS）为650V
- 导通电阻：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为0.105Ω
- 电流容量：连续漏极电流（ID）在25℃环境下为36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）为277W（基于25℃环境温度）
- 栅源电压：最大额定值为30V
- 阈值电压：典型值约为4V（VGS(th)）
该器件属于维安的超结MOSFET系列，适用于开关电源、逆变器等高压场景，具有低导通电阻和高效率的特点。
在采购时，建议通过正规渠道核实供应商资质，并注意批号以确保产品时效性。
维安（WAYON）WMJ36N65F2是一款N沟道超结型功率MOSFET，专为高压应用设计。以下是其关键参数和特性概述：
- 型号：WMJ36N65F2
- 封装：TO-247
- 电压耐受：漏源击穿电压（VDS）为650V
- 导通电阻：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为0.105Ω
- 电流容量：连续漏极电流（ID）在25℃环境下为36A
- 功率耗散：最大功耗（PD）为277W（基于25℃环境温度）
- 栅源电压：最大额定值为30V
- 阈值电压：典型值约为4V（VGS(th)）
该器件属于维安的超结MOSFET系列，适用于开关电源、逆变器等高压场景，具有低导通电阻和高效率的特点。
在采购时，建议通过正规渠道核实供应商资质，并注意批号以确保产品时效性。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
网址：www.merryelc.com
总公司地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3层
经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS
版权所有：Copyright © 2019 东莞市美瑞电子有限公司 粤ICP备19137317号版权所有 模仿必究
