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LSG65R340GM

LSG65R340GM

产品详情

龙腾半导体的 ‌LSG65R340GM‌ 属于其高压超结MOSFET(SJ MOSFET)产品系列的代表型号之一,

主要服务于高效电源转换场景。其核心特性与应用方向如下:

一、关键电气参数与性能优势

耐压与导通特性‌

支持 ‌650V‌ 高耐压等级,可实现大功率应用中的稳定阻断能力。
340mΩ‌ 典型导通电阻(R<sub>DS(on)</sub>),配合低栅极电荷设计,显著降低导通与开关损耗。

可靠性强化设计‌

优化抗雪崩能力(EAS)‌:通过结构改进增强器件在异常电压冲击(如雷击、感性负载突变)下的生存能力。
抗浪涌电流保护‌:适用于照明电源等存在高浪涌风险的场景,避免器件因瞬时过流失效。

开关性能优化‌

超低反向恢复电荷(Q<sub>rr</sub>),抑制桥式拓扑中因体二极管反向恢复引发的振荡问题。
优化的栅极驱动特性,降低EMI噪声,适配高开关频率应用。


二、典型应用场景
高效率电源适配器‌
广泛用于 ‌USB-PD快充‌、笔记本适配器等消费电子设备,支持45-65W高功率密度设计。
工业与新能源电力系统‌
微型逆变器‌:在Flyback原边电路中抵御启动电流冲击,并在逆变级利用低Q<sub>rr</sub>特性提升转换效率。
LED驱动电源‌:适用于单级PSR Flyback架构,满足小功率照明对EMI与可靠性的严苛需求。


三、封装与认证
采用行业通用封装(如TO-220或D²PAK),便于散热设计与PCB布局。
符合 ‌RoHS规范‌ 与无卤素要求,通过100% UIS(Unclamped Inductive Switching)测试验证鲁棒性。

注:该型号在蔚来、摩米士、绿联等品牌的充电设备中已有成熟应用案例。其设计平衡了效率、成本与可靠性,是中高功率电源方案的优选器件之一。

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