以下是关于LSB65R099GF产品的详细介绍：

1. 产品概述

LSB65R099GF是龙腾半导体(LONTEN)生产的一款N沟道MOS场效应管，采用TO-247封装，属于超结功率场效应管(Super Junction VDMOS)系列。该产品具有高能效、高可靠性及高性价比的特点，广泛应用于电力电子领域。

2. 规格参数
参数名称 属性值
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C) 40A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 99mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 278W(Tc)
类型 N沟道
封装形式 TO-247

3. 产品特点与优势
高性能‌：650V高耐压设计，适用于中高压应用场景。
低导通电阻‌：99mΩ的低导通电阻可减少功率损耗，提高能效。
高可靠性‌：优化了抗雪崩能力和抗浪涌能力，适合严苛的工作环境。
广泛应用‌：在充电桩、光伏逆变器、开关电源等领域表现优异。

4. 应用场景
充电桩‌：用于直流充电模块的功率转换单元，支持高功率充电需求。
户用光伏储能‌：在逆变器和电池管理系统中发挥关键作用。
开关电源‌：适用于计算机电源、LED驱动电源、适配器等。
工业设备‌：包括UPS、电焊机、工业变频器等。

5. 生产厂家

LSB65R099GF由‌龙腾半导体有限公司‌(LONTEN)生产，该公司是一家专注于新型功率半导体器件研发的高新技术企业，通过ISO9001-2015质量体系认证，拥有83项专利技术。