LSD65R650GMB

龙腾半导体LSD65R650GMB功率MOSFET产品介绍
产品概述

LSD65R650GMB是龙腾半导体(LONTEN)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的超结(Super Junction)技术制造。该产品属于龙腾半导体650V高压MOSFET系列，专为高效率电源转换应用而设计。

技术参数
参数名称 参数值 备注
漏源电压(Vdss) 650V 最大额定值
连续漏极电流(Id) 7A 25°C环境温度下
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA 典型值
漏源导通电阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C时
封装形式 TO-220F 符合行业标准
技术类型 超结VDMOS Super Junction技术

注：以上参数基于类似型号LSD65R650HT的技术规格整理，建议联系龙腾半导体获取LSD65R650GMB的精确参数。

产品特点

高效率设计‌

采用超结(Super Junction)技术，显著降低导通电阻
相比传统平面MOSFET，导通损耗降低约22.3%
优化的栅极电荷特性，减少开关损耗

高可靠性‌

100%通过UIS(Unclamped Inductive Switching)测试
符合RoHS环保规范，无铅无卤素
优化的热设计，提高高温工作稳定性

应用友好性‌

标准TO-220F封装，便于安装和散热设计
与行业主流MOSFET引脚兼容
简化电路设计，降低系统成本
应用领域

LSD65R650GMB适用于多种高效率电源转换场景：

应用类别 典型应用
消费电子 LED驱动电源、适配器、PD快充
计算机 服务器电源、PC电源
工业电子 开关电源、工业电源
新能源 光伏逆变器辅助电源

特别适用于需要高效率、高功率密度的电源设计场景。

技术优势

与传统平面MOSFET对比‌

克服了导通电阻随击穿电压急剧增大的缺点
保持输入阻抗高、开关速度快的特点
显著提升系统整体效率

与常规超结MOSFET对比‌

优化的内部电场分布设计
增强的耐压能力和可靠性
改进的开关特性，降低EMI干扰

市场定位‌

填补国产高端功率半导体器件空白
在650V高压应用中具有竞争优势
性价比优于同类进口产品
使用建议

电路设计注意事项‌

建议工作电压不超过520V，留足设计余量
栅极驱动电阻推荐值10-22Ω，平衡开关速度与EMI
确保良好的散热条件，建议使用散热片

典型应用电路‌

适用于反激式、正激式等开关电源拓扑
可与PWM控制器如L6565等配合使用
在LLC谐振转换器中表现优异

可靠性保障‌

避免超过最大额定参数使用
注意PCB布局，减少寄生参数影响
建议进行老化测试验证长期可靠性
制造商背景

龙腾半导体有限公司是一家专注于新型功率半导体器件研发的高新技术企业，通过ISO9001-2015质量体系认证。公司在功率半导体领域拥有83项专利，并参与制定了超结功率MOSFET国家行业标准(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司产品线涵盖超结MOSFET、IGBT、快恢复二极管等多个系列，广泛应用于消费电子、工业电源、新能源汽车等领域。龙腾半导体建有国内一流的研发中心和应用测试实验室，持续推动功率半导体技术创新。