LSB65R070GF龙腾MOS管基本参数与封装信息

LSB65R070GF是龙腾半导体（LONTEN）推出的一款N沟道高压平面MOSFET，其核心参数如下：

• 电压规格：650V（VDSS）

• 电流规格：47A（连续导通电流，TC=100°C时）

• 导通电阻：0.07Ω（RDS(on)，MAX值）

• 封装形式：TO-247，属于大功率器件常用封装，具备良好的散热性能。

LSB65R070GF的技术特性与优势

核心技术优势

• 超结技术（Superjunction）：采用先进的超结工艺，实现低导通电阻（RDS(on)）与高耐压的平衡，适合高频开关应用。

• 低栅极电荷（Qg）：典型值Qg=66nC，可降低驱动损耗，提升开关效率，尤其适用于高频电源拓扑。

• 高雪崩能量（EAS）：增强抗浪涌能力，提升电路可靠性。

性能优化方向

• di/dt能力增强：针对谐振拓扑（如LLC、CLLC）优化，降低开关过程中的电流变化率干扰。

• 抗雪崩能力：优化EAS参数，适应电源系统中的瞬态过压场景。

LSB65R070GF的应用领域

基于其650V耐压和47A电流特性，该器件主要应用于中大功率电源系统，包括：

• 开关电源（SMPS）：如服务器电源、工业电源。

• 功率因数校正（PFC）：高压AC-DC转换中的功率校正模块。

• 逆变器：光伏逆变器、储能系统逆变环节。

• 不间断电源（UPS）：作为主功率开关器件。

龙腾LSB65R070GF的选型与替代建议

同类产品对比

龙腾半导体同系列高压MOS管可根据电压、电流需求选型，例如：

替代兼容性

该器件可兼容其他品牌同规格超结MOSFET，如英飞凌IPW65R070C6、安森美FCH47N65F等，需注意封装与栅极电荷参数匹配。

供应与技术支持信息

• 货源保障：由龙腾授权代理提供正品现货，如东莞市美瑞电子有限公司。

• 技术服务：支持快速样品申请、数据手册下载及选型指导，可联系代理-美瑞电子获取详细资料。

LSB65R070GF凭借高耐压、低损耗特性，在大功率电源系统中具备显著的性能优势，尤其适合对效率和可靠性要求较高的工业与能源领域应用。