龙腾半导体LSG65R650GMB TO-252功率MOSFET产品介绍
产品概述

LSG65R650GMB是龙腾半导体(LONTEN)推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的超结(Super Junction)技术制造，封装形式为TO-252(DPAK)。该产品属于龙腾半导体650V高压MOSFET系列，专为高效率电源转换应用而设计，特别适合空间受限的中小功率场景。

技术参数
参数名称 参数值 备注
漏源电压(Vdss) 650V 最大额定值
连续漏极电流(Id) 7A 25°C环境温度下
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA 典型值
漏源导通电阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功率耗散 28W Ta=25°C时
封装形式 TO-252(DPAK) 表面贴装型
技术类型 超结VDMOS Super Junction技术

注：以上参数基于类似型号LSG65R650HT的技术规格整理，建议联系龙腾半导体获取LSG65R650GMB的精确参数。

TO-252封装特点

结构设计‌

表面贴装型功率封装，尺寸比直插式封装小
背面有较大散热焊盘，可直接焊接在PCB上
散热铜箔面积达25mm²，配合1.6mm厚FR4基板可实现8℃/W热阻

散热性能‌

通过PCB进行散热，需设计大面积覆铜和散热过孔
在器件3mm范围内建议布置温度传感器
工作环境温度超过70℃时建议添加微型散热鳍片

与TO-220F对比‌

体积更小，适合高密度布局和空间受限场景
散热性能略低于TO-220F，但更节省空间
适用于高压在7N以下，中压在70A以下环境中
产品特点

高效率设计‌

采用超结(Super Junction)技术，显著降低导通电阻
相比传统平面MOSFET，导通损耗降低约22.3%
优化的栅极电荷特性，减少开关损耗

高可靠性‌

100%通过UIS(Unclamped Inductive Switching)测试
符合RoHS环保规范，无铅无卤素
优化的热设计，提高高温工作稳定性

应用友好性‌

标准TO-252封装，便于自动化生产
与行业主流MOSFET引脚兼容
简化电路设计，降低系统成本
应用领域

LSG65R650GMB适用于多种高效率电源转换场景：

应用类别 典型应用
消费电子 LED驱动电源、适配器、PD快充
计算机 服务器电源、PC电源
工业电子 开关电源、工业电源
新能源 光伏逆变器辅助电源

特别适用于需要高效率、高功率密度且空间受限的电源设计场景。

使用建议

电路设计注意事项‌

建议工作电压不超过520V，留足设计余量
栅极驱动电阻推荐值10-22Ω，平衡开关速度与EMI
确保PCB散热设计良好，建议使用2oz铜厚

焊接工艺‌

回流焊峰值温度需控制在260℃以内(10秒持续时间)
手工补焊时应避免烙铁直接接触散热焊盘
维修时需要专用热风拆焊设备

可靠性保障‌

避免超过最大额定参数使用
注意PCB布局，减少寄生参数影响
建议进行老化测试验证长期可靠性
制造商背景

龙腾半导体有限公司是一家专注于新型功率半导体器件研发的高新技术企业，通过ISO9001-2015质量体系认证。公司在功率半导体领域拥有83项专利，并参与制定了超结功率MOSFET国家行业标准(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司产品线涵盖超结MOSFET、IGBT、快恢复二极管等多个系列，广泛应用于消费电子、工业电源、新能源汽车等领域。龙腾半导体建有国内一流的研发中心和应用测试实验室，持续推动功率半导体技术创新。