维安WML7N65D1B平面MOS产品介绍

1. 产品概述

WML7N65D1B是维安（WAYON）推出的650V耐压平面MOSFET，采用TO-220F封装，专为高电压、大电流应用场景设计。该产品结合了平面工艺的高可靠性与低导通电阻特性，适用于消费电子、工业控制、电源管理等领域。

2. 关键参数

• 耐压等级：650V（BVDSS）

• 连续漏极电流：7A（ID）

• 导通电阻：1.12Ω（RDS(on)@VGS=10V）

• 封装形式：TO-220F（支持高功率密度设计）

• 工作温度范围：-55°C至150°C（宽温域适应性）。

3. 技术优势

• 平面工艺可靠性：采用成熟平面工艺，通过100%雪崩测试筛选，确保在浪涌电流和过载场景下的稳定性。

• 低导通损耗：优化的RDS(on)设计，降低功耗，适用于高频开关电源。

• 封装兼容性：TO-220F封装适配多种散热方案，支持紧凑型电路设计。

4. 应用领域

• 消费电子：如适配器、LED驱动、快充电源等。

• 工业控制：电机驱动、逆变器、电源管理系统。

• 新能源领域：光伏逆变、储能系统中的功率控制模块。

5. 供应商与技术支持

东莞市美瑞电子有限公司

提示：如需更详细参数或定制化方案，可参考维安官网或联系授权代理商获取技术支持。