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WMO053NV8HGS 是维安(WAYON)推出的低压 MOS 管产品,专为高效电源管理和快速开关场景设计。以下是其核心特性及行业应用介绍:
基础规格
封装形式:TO-252 封装,支持自动化贴装,符合工业级可靠性标准。
电压与电流:漏源电压(VDS)85V,最大连续漏极电流(ID)达 118A(25℃环境温度下)。
导通电阻:在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大值为 6.2mΩ,有效降低导通损耗。
栅极驱动:支持 ±20V 的栅源电压(Vgs),兼容主流驱动电路设计。
性能优势
采用 功率沟槽 MOSFET 技术,优化了导通电阻与开关效率的平衡,适用于高频开关场景。
低阈值电压(VGS(th) 典型值 3V),提升低功耗设备的能效表现。
电源管理
适配器、充电器(如 PD 快充)、储能系统(BMS)中的高效 DC-DC 转换模块。
适用于 65W 及以上功率的快充方案,支持快速开关以减小体积。
工业与消费电子
电机驱动(如小功率电动工具、智能家居设备)的 H 桥电路。
通信设备、LED 驱动等需高电流承载能力的场景。
供应保障
代理商东莞市美瑞电子有限公司,提供现货库存及定制化采购服务。
支持样品申请,交期可缩短至 1 个工作日。
配套型号推荐
同系列互补型号:WMB053NV8HGS(PDFN5*6-8L 封装)、WMK053NV8HGS(TO-220 封装),适应不同布局需求。
替代方案参考:WMQ30N03T2、WMB098N03LG2 等中低压型号,满足多样化设计需求。
WMO053NV8HGS 凭借高电流承载、低导通损耗及工业级可靠性,成为电源管理和电机驱动领域的优选器件。