WMO053NV8HGS 是维安（WAYON）推出的低压 MOS 管产品，专为高效电源管理和快速开关场景设计。以下是其核心特性及行业应用介绍：

一、技术参数

1. 基础规格

   • 封装形式：TO-252 封装，支持自动化贴装，符合工业级可靠性标准。

   • 电压与电流：漏源电压（VDS）85V，最大连续漏极电流（ID）达 118A（25℃环境温度下）。

   • 导通电阻：在 Vgs=10V 时，Rds(on) 最大值为 6.2mΩ，有效降低导通损耗。

   • 栅极驱动：支持 ±20V 的栅源电压（Vgs），兼容主流驱动电路设计。

2. 性能优势

   • 采用 功率沟槽 MOSFET 技术，优化了导通电阻与开关效率的平衡，适用于高频开关场景。

   • 低阈值电压（VGS(th) 典型值 3V），提升低功耗设备的能效表现。

二、应用场景

1. 电源管理

   • 适配器、充电器（如 PD 快充）、储能系统（BMS）中的高效 DC-DC 转换模块。

   • 适用于 65W 及以上功率的快充方案，支持快速开关以减小体积。

2. 工业与消费电子

   • 电机驱动（如小功率电动工具、智能家居设备）的 H 桥电路。

   • 通信设备、LED 驱动等需高电流承载能力的场景。

三、供应链与选型支持

1. 供应保障

   • 代理商东莞市美瑞电子有限公司，提供现货库存及定制化采购服务。

   • 支持样品申请，交期可缩短至 1 个工作日。

2. 配套型号推荐

   • 同系列互补型号：WMB053NV8HGS（PDFN5*6-8L 封装）、WMK053NV8HGS（TO-220 封装），适应不同布局需求。

   • 替代方案参考：WMQ30N03T2、WMB098N03LG2 等中低压型号，满足多样化设计需求。

四、总结

WMO053NV8HGS 凭借高电流承载、低导通损耗及工业级可靠性，成为电源管理和电机驱动领域的优选器件。