WMB043N10LGS

东莞美瑞电子是WAYON维安半导体较早—批代理商,于2018年面对电源市场推广性能优越的MOSFET功率器件产品,覆盖650V,700V,800V多种封装高压超结MOSFET，欢迎点击了解。

WMB043N10LGS 是一款由上海维安（Wayon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于开关电源等电路中作为同步整流管。

以下是该器件的关键参数和特性：

* 主要参数：
* 漏源电压 (Vdss)：100V
* 连续漏极电流 (Id)：120A
* 导通电阻 (RDS(on))：典型值为 4.5mΩ（在 Vgs=10V 条件下）
* 耗散功率 (Pd)：131.6W
* 封装形式：DFN-8L (5x6mm)

* 特性与应用：
* 这款 MOSFET 采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高电流承载能力，有助于提升电源转换效率。
* 其工作温度范围较宽，可达 -55℃ ~ +150℃，适用于多种工作环境。
* 根据公开的拆解报告，该型号器件被应用于多款高功率快充充电器中（如 TOMAX 140W 氮化镓充电器、Baseus 倍思 67W 伸缩线充电器等），作为同步整流电路的核心开关管，负责将高频变压器输出的交流电整流为直流电，以实现高效的能量转换。

* 注意事项：
* 在使用时，需确保其栅极驱动电压符合要求，并注意散热设计以充分发挥其电流处理能力。