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适用于BMS锂电保护的低压MOS
维安（WAYON）WMB100N04TS是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高效开关应用设计，常见于电源管理、电机控制等场景。
主要参数
- 漏源电压（VDSS）：40V，适用于中等电压电路。
- 连续漏极电流（ID）：125A（在25°C环境温度下），支持大电流负载。
- 导通电阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（测试条件：VGS=4.5V），低导阻可减少功率损耗。
- 栅极电荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映栅极驱动需求。
- 工作温度范围：-55°C至+150°C，适应宽温环境。
- 封装形式：PDFN5060-8L（无铅、符合RoHS），便于SMT贴装。
特性与应用
- 低开关损耗：导通电阻小，适合高频开关场景（如DC-DC转换器）。
- 典型应用：同步整流、负载开关、电源模块等。
注意事项
- 选型时需确保栅极驱动电压满足阈值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高电流应用下需注意散热设计，以充分发挥其125A电流能力。
如需详细数据手册或封装尺寸，建议参考官方资料获取PDF文档。
适用于BMS锂电保护的低压MOS
维安（WAYON）WMB100N04TS是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高效开关应用设计，常见于电源管理、电机控制等场景。
主要参数
- 漏源电压（VDSS）：40V，适用于中等电压电路。
- 连续漏极电流（ID）：125A（在25°C环境温度下），支持大电流负载。
- 导通电阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（测试条件：VGS=4.5V），低导阻可减少功率损耗。
- 栅极电荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映栅极驱动需求。
- 工作温度范围：-55°C至+150°C，适应宽温环境。
- 封装形式：PDFN5060-8L（无铅、符合RoHS），便于SMT贴装。
特性与应用
- 低开关损耗：导通电阻小，适合高频开关场景（如DC-DC转换器）。
- 典型应用：同步整流、负载开关、电源模块等。
注意事项
- 选型时需确保栅极驱动电压满足阈值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高电流应用下需注意散热设计，以充分发挥其125A电流能力。
如需详细数据手册或封装尺寸，建议参考官方资料获取PDF文档。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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