在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下，中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内，实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比，成为行业客户的核心诉求。
龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT（1200V/25A）采用新型场截止型IGBT技术，实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号，精准定位于中小功率电力电子应用场景，可充分满足该领域的性能需求。
TO-247
引脚配置
核心亮点
1
低导通压降，提升系统效率
典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃，Ic=25A)，高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V)，有效降低导通损耗。
2
高结温能力，适应严苛工况
最大工作结温Tvj=175℃，为高功率密度设计提供更大热余量。
3
开关特性优化，降低电磁干扰
优化的栅极驱动特性，显著抑制开通时的 Vge振荡，提升系统稳定性。
4
内置快恢复二极管
集成快速恢复反并联二极管，反向恢复时间trr典型值 371ns，反向恢复电荷Qrr为1471nC，适配高频硬开关应用。
5
短路耐受能力
产品拥有业界领先的短路耐受时间，具备很好的短路鲁棒性。
典型应用
不间断电源
电焊机
变流器
在便携储能、变频家电、小型工业驱动等场景持续爆发的当下，中小功率 1200V IGBT 的市场需求迎来高速增长。如何在有限的体积内，实现更低损耗、更高可靠性、更优性价比，成为行业客户的核心诉求。
龙腾半导体推出的新款LKB25N120UM1 IGBT（1200V/25A）采用新型场截止型IGBT技术，实现了开关损耗与通态损耗的最佳折中。作为公司重点布局的中小功率档位主推型号，精准定位于中小功率电力电子应用场景，可充分满足该领域的性能需求。
TO-247
引脚配置
核心亮点
1
低导通压降，提升系统效率
典型VCE(sat)仅为1.5V(@Tvj=25℃，Ic=25A)，高温下仍保持低导通压降(175℃时为1.9V)，有效降低导通损耗。
2
高结温能力，适应严苛工况
最大工作结温Tvj=175℃，为高功率密度设计提供更大热余量。
3
开关特性优化，降低电磁干扰
优化的栅极驱动特性，显著抑制开通时的 Vge振荡，提升系统稳定性。
4
内置快恢复二极管
集成快速恢复反并联二极管，反向恢复时间trr典型值 371ns，反向恢复电荷Qrr为1471nC，适配高频硬开关应用。
5
短路耐受能力
产品拥有业界领先的短路耐受时间，具备很好的短路鲁棒性。
典型应用
不间断电源
电焊机
变流器
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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经营产品：碳化硅器件、IGBT单管、IGBT模块、肖特基/整流桥堆、低压MOS、超结MOS
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