碳化硅MOSFET正在重新定义功率电子的性能边界，为新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等领域提供更高效、更紧凑、更可靠的功率解决方案。随着技术持续迭代和成本进一步优化，SiC MOSFET的应用边界将不断拓展，..
2026-09-22LSD65R150G3龙腾半导体G3超结平台首发650V TO-252高压MOSFET，LSD65R150G3在650V击穿电压下实现了典型125mΩ、最大150mΩ的导通电阻。
2026-09-03扬杰科技TOLT先进封装优点：传统的封装通过产品本体底部向PCB板散热，TOLT的新封装，通过体顶部的金属PAD配合散热器散热，散热效率显著提升。
2026-09-03面向人形机器人关节驱动、辅助电源及BMS保护等多元场景，龙腾半导体构建了完整的SGT MOSFET产品矩阵，电压平台覆盖40V/60V/85V/100V，电流能力从67A至384A，全面满足不同功率等级的选型需..
2026-09-03150V N沟道 SGT MOSFET 现有库存及样品提供测试！专为工业电源而来！
2026-08-22美瑞电子携手菱奇半导体推出72W碳化硅电源方案，现有DEMO可提供测试！
2026-08-20龙腾半导体正式推出 LSGN04R008FHB N沟道功率MOSFET，基于先进屏蔽栅沟槽（SGT）工艺，以40V耐压、384A持续电流、0.85mΩ极低导通电阻为核心性能，搭配DFN5×6铜夹片（Clip）封..
2026-07-30龙腾半导体深耕功率器件领域多年，推出Easy2B IGBT模块（1200V，25A/40A），以高度集成化架构、卓越的开关与热管理性能，以及完善的工艺适配性，为变频器、伺服驱动器、暖通空调及小型新能源设备提供功..
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