CPW65R041FC1是上海功成半导体（CoolSemi）推出的650V N 沟道超结 MOSFET，主打低导通电阻、大电流、高功率密度，适配中高压大功率开关电源场景。
品牌 / 厂商：上海功成半导体（CoolSemi）
器件类型：N 沟道增强型超结（Super Junction）MOSFET
封装：TO-247（插件封装，3 引脚）
系列定位：650V 高压、低 Rds (on)、大电流功率开关管
| 参数 | 符号 | 数值 | 条件 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 650V | — |
| 连续漏极电流 | ID | 70A | Tc=25℃ |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 约 210A | 单次脉冲 |
| 导通电阻（最大） | RDS(on) | 41mΩ | VGS=10V, ID=33A |
| 栅源阈值电压 | VGS(th) | 4.0V（典型） | ID=3.3mA |
| 栅源耐压 | VGS | ±20V | — |
| 总栅极电荷 | Qg | 约 300nC | VGS=0~10V |
| 输入电容 | Ciss | 约 8.4nF | VDS=100V |
| 功耗 | PD | 约 500W | Tc=25℃ |
| 工作结温 | Tj | -55℃ ~ +150℃ | — |
| 体二极管正向压降 | VSD | 约 1.0V | IS=49.6A |
| 反向恢复电荷 | Qrr | 约 1.9μC | — |
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