虹扬科技超低导通电压(VF)桥式整流器系列(封装6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术，

其通过增加截止环和终端钝化层，多次的光照制程, 来实现超低导通电压(VF), 较低的高温漏电流，优良的可靠性. 适用于各种应用中的桥式整流器，进而提升整体电源效能和更稳定的可靠度。

因采用外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术, 故反向恢复QRR/IRM小，恢复特性软，EMI特性优, VF弱温度系数，较低的高温漏电流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好，即便如此严苛的应用环境下, 也能确保客户应用上的可靠性和稳定性。一般用于要求高的高功率领域。包括AI电源、 服务器电源、PC电源(80+白金/钛金PC电源)、通信电源、游戏机电源等高功率应用。

➤正向压降TJ=150° VF:0.79V Max
➤额定电流覆盖10A至35A
➤最大浪涌电流400A
➤提供GBU GBJ封装

专为高温、高效电源系统而优化

目标应用包含：
• AI与云端服务器电源
• 电信与网通设备
• 高效能PC与游戏主机电源
• 备援与工业级电源系统
• USB PD >100 W快充电源方案
• 55吋以上大型电视与显示器

平面工艺(Planar)结构制程技术的桥堆在相同应用条件下, 温升优于常规LOW VF(GPP)将近10度, 提升客户应用上的可靠性和稳定性及寿命。

平面工艺(Planar)结构制程技术, 在超低导通电压(VF)下, 效率均优于常规VF(GPP). 助力客户提效降耗,协助客户在高功率领域的应用。

凭借外延+平面工艺的创新制程，在导通电压、反向耐压、漏电性能等方面表现卓越，以超低损耗、高可靠性的优势，为AI电源、服务器电源等高端功率领域的能效提升与稳定运行提供强力支撑，彰显出其在功率器件领域的技术领先性与市场竞争力。