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扬杰科技推出外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术 超低导通电压(VF)桥式整流器

扬杰科技超低导通电压(VF)桥式整流器系列(封装6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术,其通过增加截止环和终端钝化层,多次的光照制程, 来实现超低导通电压(VF), 较低的高温漏电流,优良的可靠性. 适用于各种应用中的桥式整流器,进而提升整体电源效能和更稳定的可靠度。

在超低导通电压(VF)桥式整流器系列中更推出领先市场的800V产品(电流包含了15A/25A/ 35A), 其800V的反向耐压, 在雷击(Surge) 测试验证上优于同业600V产品, 超群的电性性能和稳定的可靠性, 拥有领先同业超低导通电压(VF= 0.77V@125°C), 助力客户提效降耗。另外因采用外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术, 故反向恢复QRR/IRM小,恢复特性软,EMI特性优, VF弱温度系数,较低的高温漏电流(IR= 10uA@125°C), 正反向折中特性好,即便如此严苛的应用环境下, 也能确保客户应用上的可靠性和稳定性。一般用于要求高的高功率领域。包括AI电源、 服务器电源、PC电源(80+白金/钛金PC电源)、通信电源、游戏机电源等高功率应用。


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LOW VF产品芯片差异对比:


采用外延(EPI)+平面工艺(Planar)结构制程技术, 超低导通电压(VF= 0.77V@125°C), 助力客户提效降耗, 反向恢复QRR/IRM小,恢复特性软,EMI特性优, 较低的高温漏电流(IR= 10uA@125°C), 一般用于要求高的高功率领域。

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平面工艺(Planar)结构制程技术, VF / IR 在常温和高温, 均优于常规VF(GPP), 助力客户提效降耗. GBJU2508 耐压800V产品, 在雷击(Surge) 测试验证上优于600V产品。


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结语

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综上,扬杰科技600V/800V超低导通电压桥式整流器系列,凭借外延+平面工艺的创新制程,在导通电压、反向耐压、漏电性能等方面表现卓越,以超低损耗、高可靠性的优势,为AI电源、服务器电源等高端功率领域的能效提升与稳定运行提供强力支撑,彰显出其在功率器件领域的技术领先性与市场竞争力。



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