龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。

龙腾950V超结MOS采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：

1.极低导通损耗: Rsp（比导通电阻）较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。

2.超快动态性能: FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗（Eon/Eoff）分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。

3.卓越可靠性: Trr（反向恢复时间）缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性；同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。

龙腾SJ MOS 800V-950V 推荐型号