LSD65R180GMB是一款 N-Channel MOSFET，其主要参数如下：
• 最大漏源电压 (V_DS)：650 V
• 最大漏极电流 (I_D)：20 A
• 最大功耗 (P_D)：34 W
• 最大栅源电压 (V_GS)：±30 V
• 最大门阈电压 (V_GS(th))：5 V
• 总栅电荷 (Q_g)：约 39 nC
• 输出电容 (C_oss)：约 1250 pF
• R_DS(on)：最大约 0.18 Ω

龙腾半导体多层外延MOS技术介绍
技术概述

龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台采用了先进的‌多次外延结构设计‌，这是一种创新的功率半导体技术。该技术在保证高耐压的基础上，有效减少了器件内部的寄生电容，进一步优化了开关过程中的能量损失。

技术特点与优势

极低导通损耗‌

Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗
可在植物照明电源等应用中实现更高能效

超快动态性能‌

FOM(Qgd)优化14.5%
开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%
助力高频电源设计简化

卓越可靠性‌

Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声
多次外延工艺增强了器件耐压能力
支持950V高压场景下的长期稳定运行

工艺创新‌

采用多次外延结构设计
优化了器件内部电场分布
提高了整体性能和可靠性
应用领域

龙腾半导体多层外延MOS技术广泛应用于以下领域：

应用领域 具体应用场景
电源系统 LED驱动电源、适配器、PD充电器、开关电源、计算机及服务器电源
新能源 光伏逆变器、储能系统、充电桩
工业电子 电池化成电源、工业电源
消费电子 便携储能设备、户外电源
技术对比分析

与传统MOSFET技术相比，龙腾半导体多层外延MOS技术具有显著优势：

与传统平面VDMOS对比‌

克服了导通电阻随击穿电压急剧增大的缺点
提升了系统效率
保持了输入阻抗高、开关速度快、工作频率高等优点

与常规超结MOSFET对比‌

采用多次外延工艺，增强了耐压能力
优化了内部电场分布
提高了开关性能和可靠性

市场定位‌

填补了国产高端功率半导体器件空白
在950V高压应用场景具有竞争优势
适用于对能效和可靠性要求高的应用
技术发展前景

随着可再生能源、新能源汽车及5G通信等领域的蓬勃发展，功率半导体的需求持续攀升。龙腾半导体多层外延MOS技术凭借其高性能和可靠性，有望在以下领域获得更广泛应用：

新能源汽车‌：车载充电机、DC-DC转换器等
工业自动化‌：伺服驱动、工业电源等
数据中心‌：服务器电源、UPS等
智能家居‌：高效电源适配器等

该技术的持续创新将助力我国功率半导体产业提升国际竞争力，满足日益增长的高效能源转换需求。