电压与电流特性
漏源电压(VDS):600V
漏极电流(ID):42A(@25℃)
导通电阻(RDS(on)):70mΩ
栅源电压范围(VGS):2.5V(最小值)至5V(最大值)
最大功耗(PD):272W(@25℃)
封装形式
封装类型:TO-247
超结(Super Junction)技术
HCA60R070F 采用 超结(SJ)结构,相比传统平面MOSFET,在高压场景下显著降低导通电阻(RDS(on))和开关损耗,提升系统效率 。
适用场景:高效率电源转换(如开关电源、充电器)、电机驱动等高压高频应用 。
晶圆与制造工艺
晶圆由 三星代工生产,结合Semihow的功率半导体设计技术,优化了器件性能和可靠性 。
低导通损耗
70mΩ的低RDS(on)值在高压应用中减少导通损耗,尤其适合高功率密度的紧凑型设计 。
温升控制
优异的散热性能使其在35-65W小体积PD充电器中表现突出,温升控制优于同类平面MOSFET 。
快速反向恢复(Fast TRR)
搜索结果中提及 快速反向恢复特性(Fast TRR),可降低开关过程中的能量损耗,提升系统整体效率 。
电源系统
开关电源(SMPS)、高效率多形态电源(如PD快充适配器) 。
电机驱动
工业电机控制、电动车驱动模块 。
其他领域
汽车电子(如LED照明系统)、消费类电子设备的高压电源管理 。
制造商:Semihow(韩国功率半导体公司,成立于2002年) 。
代理商:东莞市美瑞电子有限公司
栅极驱动要求:需确保VGS在2.5-5V范围内,避免过压损坏 。
散热设计:TO-247封装需配合适当散热方案以发挥最大功耗能力 。