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HCA60R070F

HCA60R070F

产品详情


Semihow HCA60R070F MOSFET 参数详解

一、基础参数概览

  1. 电压与电流特性

    • 漏源电压(VDS):600V

    • 漏极电流(ID):42A(@25℃)

    • 导通电阻(RDS(on)):70mΩ

    • 栅源电压范围(VGS):2.5V(最小值)至5V(最大值)

    • 最大功耗(PD):272W(@25℃)

  2. 封装形式

    • 封装类型:TO-247


二、核心技术与结构特点

  1. 超结(Super Junction)技术

    • HCA60R070F 采用 超结(SJ)结构,相比传统平面MOSFET,在高压场景下显著降低导通电阻(RDS(on))和开关损耗,提升系统效率

    • 适用场景:高效率电源转换(如开关电源、充电器)、电机驱动等高压高频应用

  2. 晶圆与制造工艺

    • 晶圆由 三星代工生产,结合Semihow的功率半导体设计技术,优化了器件性能和可靠性


三、关键性能优势

  1. 低导通损耗

    • 70mΩ的低RDS(on)值在高压应用中减少导通损耗,尤其适合高功率密度的紧凑型设计

  2. 温升控制

    • 优异的散热性能使其在35-65W小体积PD充电器中表现突出,温升控制优于同类平面MOSFET

  3. 快速反向恢复(Fast TRR)

    • 搜索结果中提及 快速反向恢复特性(Fast TRR),可降低开关过程中的能量损耗,提升系统整体效率


四、典型应用场景

  1. 电源系统

    • 开关电源(SMPS)、高效率多形态电源(如PD快充适配器)

  2. 电机驱动

    • 工业电机控制、电动车驱动模块

  3. 其他领域

    • 汽车电子(如LED照明系统)、消费类电子设备的高压电源管理


五、厂商与供应链信息

  • 制造商:Semihow(韩国功率半导体公司,成立于2002年)

  • 代理商:东莞市美瑞电子有限公司


六、注意事项

  • 栅极驱动要求:需确保VGS在2.5-5V范围内,避免过压损坏

  • 散热设计:TO-247封装需配合适当散热方案以发挥最大功耗能力



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