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LSG65R380GMB

LSG65R380GMB

产品详情

LSG65R380GMB 是‌龙腾半导体‌推出的一款 ‌N沟道高压超结功率MOSFET‌，核心参数为：‌漏源电压 650V，连续漏极电流 11A，导通电阻 380mΩ‌，采用 ‌TO-252（D-PAK）表面贴装封装

核心特性

  • ‌超结技术‌：基于龙腾先进的超结（Super Junction）工艺，实现极低导通电阻与高功率密度。

  • ‌低栅极电荷‌：典型栅极电荷 Qg 仅 ‌14.7nC‌，开关速度快，开关损耗低，适合高频应用。

  • ‌高可靠性‌：100% 通过 ‌UIS（非钳位感性开关）雪崩测试‌，抗浪涌能力强。

  • ‌环保合规‌：符合 ‌RoHS‌ 标准，无铅无卤素。‌‌

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LSG65R380GMB

名称：LSG65R380GMB

    龙腾半导体超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（I GBT）、中低压SGTMOS、中低压沟槽MOS、高压平面MOS等完整的功率器件产品系列。产品已在消费类（TV板卡电源、充电器、适配器、 L ED驱动电源）、工业类（计算机及服务器电源、通信电源）、汽车类（充电桩、车载电源）等领域得到了广泛应用。

    在线咨询
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LSG65R380GMB 是‌龙腾半导体‌推出的一款 ‌N沟道高压超结功率MOSFET‌，核心参数为：‌漏源电压 650V，连续漏极电流 11A，导通电阻 380mΩ‌，采用 ‌TO-252（D-PAK）表面贴装封装

核心特性

  • ‌超结技术‌：基于龙腾先进的超结（Super Junction）工艺，实现极低导通电阻与高功率密度。

  • ‌低栅极电荷‌：典型栅极电荷 Qg 仅 ‌14.7nC‌，开关速度快，开关损耗低，适合高频应用。

  • ‌高可靠性‌：100% 通过 ‌UIS（非钳位感性开关）雪崩测试‌，抗浪涌能力强。

  • ‌环保合规‌：符合 ‌RoHS‌ 标准，无铅无卤素。‌‌

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总公司地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3层

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