碳化硅二极管是适用于功率半导体的革命性材料，其物理性能远远优于硅功率器件。关键特性包括基准开关性能、无反向恢复电流、温度对开关行为几乎没有影响以及标准工作温度范围为-55℃至175℃。碳化硅二极管采用结势垒..
2020-05-14肖特基二极管是以其发明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二极管(SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体和N型半导体接触形成PN结的原理，而是利用金属-半导体接触形成金属-半导体结的原理。因此，SBD..
2020-05-08稳压二极管的结构与普通二极管相同，并且还有一个PN结。由于不同的制造工艺，当PN结处于反向击穿状态时，PN结不会被损坏(普通二极管的PN结会被损坏)，当使用稳压二极管来稳定电压时，利用这种击穿特性。通常，当..
2020-05-06与PN结器件相比，碳化硅二极管更像是一种理想的开关。肖特基二极管最重要的两个性能指标是其低反向恢复电荷(Qrr)和恢复软化系数。当二极管电压变为反向偏置时，低Qrr大大缩短了关断过程所需的时间，即反向恢复时..
2020-04-27肖特基二极管是一种低功耗、超高速的半导体器件。它的反向恢复时间非常短(可以小到几纳秒)，正向导通电压降仅为0.4V左右.大多数用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管。它们也用作微波通信电路..
2020-04-22稳压二极管伏安特性曲线的正向特性与普通二极管相似，反向特性是反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻大，反向漏电流极小。然而，当反向电压接近反向电压的临界值时，反向电流突然增加，这被称为击穿。在这个临界击穿点，..
2020-04-20lowvf肖特基二极管是一种正向压降比普通肖特基二极管低的半导体器件。它可以理解为性能更好、压降更低的升级肖特基二极管。因此，lowvf肖特基二极管的压降越低，效率越高。因此，电压降越低，发热越低，lowv..
2020-04-16碳化硅早在1842年就被发觉了，但因其制取时的加工工艺难度系数大，而且元器件的产出率低，造成了价钱较高，这危害了它的运用。直至1955年，生长发育高质量碳化硅的方式出現推动了碳化硅二极管原材料的发展趋势，在..
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