mos管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但在一般运用中，饱和泄漏电流IDSS切断电压Up，打开电压UT、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、极限消耗散功率PDSM和极限泄漏源电流IDSM。 一、..
2020-12-19虹扬发展科技股份有限公司主要致力于整流二极管和桥式整流器的产品开发，制造和销售。包括：整流二极管，桥式整流器，车用二极管，小信号二极管，虹扬拥有齐全的整流二极管产品组合，可提供最及时的整体性解决方案。1989年..
2020-12-15近日，德国慕尼黑和美国新罕布什尔州哈德逊讯—英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）与GTAdvancedTechnologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五..
2020-12-14SEMIHOW超结MOS一级代理商-东莞市美瑞电子有限公司联系人：153-3800-0102曾先生文章转载自充电头网，以下为全文：充电头网近日拆解了一款三星手机原装25WPD快充充电器，作为Note10、S10..
2020-12-12一、mos管的特点 1.mos管是电压控制器件，通过VGS(栅极电压)控制ID(漏电电流) 2.mos管的控制输入端电流极小，因此其输入电阻(10-10ω)大。 3.利用许多载流子导电，温度稳定性..
2020-12-02第一电路设计。让mos管工作在线性工作状态，而不是开关状态。如果用N-mos做开关，G电平电压要比电源高几V才能完全导通，P-mos则相反。不完全打开导致压降过大导致功耗，等效DC阻抗比较大，压降增大，所以..
2020-12-02高压超级结MOSFETHVSuperJunctionMOSFET）VoltagelevelPartNumberVDS(V)ID(A)25℃PD(W)25℃RDS(ON)(Ω)(VGS=10V)Qg(nC)(VG..
2020-11-20陈星弼（1931—2019），中国科学院院士、教授、博导，1952年毕业于同济大学电机系，毕业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1..
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