中芯国际新增多条专利信息，其中一条发明专利名称为“晶圆的清洗方法”，公开号为CN111584340B，法律状态为已获授权。

专利摘要显示，一种晶圆的清洗方法，包括以下步骤：提供晶圆；清洗所述晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面呈正电性，晶圆表面残留物具有负电性；调节所述晶圆表面电性或所述残留物的电性，使所述晶圆表面和所述残留物的呈相同电性；对所述晶圆表面进行干燥，去除所述残留物。根据同性相斥的原理，经过调节后所述残留物与所述晶圆表面电性相同，因此所述残留物不会粘附在所述晶圆的表面，而是悬浮在晶圆表面的液膜内。在后续的干燥过程中，悬浮在液膜内的残留物会随着液膜一起被去除，提高了产品良率。

中芯国际指出，目前在半导体器件的的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨（CMP）工艺平整凸凹不平的表面。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨工艺中，一般是把芯片放在旋转的研磨垫（pad）上，再加一定的压力，使用含有抛光颗粒（例如SiO颗粒）的研磨液（slurry），在化学腐蚀与磨削移除的交互作用下进行平坦化。在化学机械研磨工艺之后，研磨液中的颗粒成为缺陷微粒存在于晶圆表面，因此必须从晶圆表面完全除去才能保持半导体器件的可靠性和生产线的清洁度。鉴于此，实有必要提出一种晶圆的清洗方法，以提升清洗效果，从而提高产品的良率。