一、核心定义与计算

1. 定义：Rsp 是器件导通电阻（Rdson）与芯片有源区面积的乘积，反映单位面积下器件导通时的电阻值，是不同尺寸 SiC MOSFET 性能对比的统一基准。

2. 计算公式：Rsp = Rdson × 芯片有源区面积（Rdson 为漏源导通电阻，单位 mΩ；面积单位 cm²，Rsp 单位 mΩ・cm²）。

3. 示例：若某 SiC MOSFET Rdson=8mΩ，有源区面积 0.2625cm²，则 Rsp=8×0.2625=2.1mΩ・cm²。

二、关键意义

三、技术与应用影响

1. 技术方向：降低 Rsp 需优化沟道密度、JFET 区电阻、外延层掺杂与栅极结构等，同时需平衡阈值电压（Vgs (th)）、短路耐受与噪声免疫等指标。

2. 应用价值：Rsp＜2.1mΩ・cm² 属于行业先进水平（如清纯半导体第三代 SiC MOSFET 平台），可减小模块尺寸、降低损耗，适配新能源汽车、光伏逆变器等对高效率与小型化要求高的场景。

四、与 Rdson 的区别

• Rdson：仅反映器件导通电阻大小，受芯片面积影响大，不同尺寸器件间直接对比意义有限。

• Rsp：消除面积差异，直接体现芯片的设计与工艺能力，是 SiC MOSFET 技术迭代的核心追求指标。