| 系列类型 | 技术特点 | 电压范围 | 电流范围 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| 超结 MOSFET（SJ-MOS） | 深沟槽 / 多次外延技术，低 Rds (on)，高雪崩耐量 | 500V-1200V | 2A-99A | 光伏逆变器、储能 PCS、充电桩、PFC WAYON |
| SGT MOSFET | 屏蔽栅技术，低 Qg，高开关速度 | 30V-250V | 10A-200A | 同步整流、DC-DC 转换、电池保护 WAYON |
| Trench MOSFET | 沟槽工艺，高性价比，通用性强 | 12V-100V | 2A-100A | 消费电子、低压电源、电机驱动 WAYON |
| 平面型 MOSFET | 快速恢复，低反向恢复电荷 | 200V-1500V | 2A-40A | 硬开关电路、高频应用 WAYON |
| SiC MOSFET | 碳化硅材料，高频高效，耐高温 | 650V-1200V | 5A-40A | 新能源汽车 OBC、高频逆变器 |
| S TOLL MOSFET | 大电流设计，低导通损耗 | 30V-100V | 100A-300A | 大功率电源、电池管理系统 WAYON |
950V/1050V 超高压平台：国内首家量产 1000V 以上超结 MOS，低 Qg 和 Qrr，提升系统效率WAYON
WMJ90N60C4：600V/90A/24mΩ，TO-247 封装，适用于大功率 UPS、变频器
创新封装：SOT-223-2L、PDFN8X8 等内置绝缘封装，提升功率密度
Tel: +86-769-21665206
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