结构创新：核心在于陈院士提出的CB 及异型岛结构，这是一种耐压层上的结构突破，不仅适用于垂直功率 MOSFET，还可应用于功率 IC 的关键器件（如 LDMOS、SBD、SIT 等功率半导体器件），被称为 “功率半导体器件发展史上的里程碑式结构”。

特殊构造与性能：阻挡层采用梳状结构，通过约七次离子注入 + 二次高温扩散形成，使得阻挡层电场分布呈矩形结构 —— 仅用传统 FET 200V 的阻挡厚度，即可承受约 500V 的耐压，最终实现导通电阻极低、耐高压、发热量低的核心优势，这也是其 “超结 MOSFET” 名称的由来。

SJ-MOS 的Rdson（通态电阻） 远低于 VDMOS，直接减少系统电源类产品的导通损耗，显著提升系统效率；

优势在大功率、大电流类电源产品中尤为明显，是高效电源设计的关键支撑。

芯片面积优化：相同电流、电压规格下，SJ-MOS 的晶源面积小于 VDMOS，厂家可封装出体积更小的产品，直接提升电源系统的功率密度；

散热负担减轻：导通损耗降低意味着发热量减少，实际应用中可缩小散热器体积，部分低功率电源甚至可省去散热器，进一步优化系统集成度。