龙腾半导体股份有限公司成立于2009年7月13日,总部位于陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园,是国家级高新技术企业、专精特新“小巨人”企业以及陕西省半导体及集成电路重点产业链“链主”企业。公司注册资本约1.61亿元,法定代表人为徐西昌,现有员工规模100-199人,参保人数118人。作为一家垂直整合(IDM)模式的功率半导体企业,其业务涵盖设计、研发、生产及测试全链条。
公司专注于新型功率半导体器件的研发与产业化,主要产品包括高压超结MOSFET、屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)及功率模块等,广泛应用于消费电子(如充电器、LED驱动电源)、工业能源(如通信电源、服务器电源)和汽车电子(如充电桩、车载电源)领域。技术方面,公司拥有101项核心技术专利,主导制定了超结功率MOSFET国家行业标准(SJ/T9014.8.2-2018),并依托校企联合研发平台(如交大-龙腾先进功率半导体技术研究院)推动创新。
龙腾半导体在行业内具有显著影响力,连续多年入选“西安龙门榜TOP20”,并获评工信部首批重点支持的专精特新“小巨人”企业。公司建有陕西省首条8英寸功率半导体晶圆生产线,年产能达60万片,填补了陕西省在该领域的空白。其产品以高能效、高可靠性及高性价比著称,在新能源汽车、光伏逆变器等新兴市场表现突出。
公司拥有国内一流的器件测试实验室和产品可靠性工程中心,通过“应用+设计+工艺+材料+设备”融合创新模式推动技术升级。西安关中综合保税区的龙腾产业园是其核心制造基地,覆盖晶圆制造、封装测试等环节。2025年,公司加速推进8英寸功率半导体器件制造项目二期建设,进一步强化产业链闭环优势。
龙腾半导体注重技术人才队伍建设,员工学历以本科为主(占比62.5%),技术岗位涵盖电子/电器、工厂生产、质量管理等领域。薪酬结构显示,54.6%的岗位薪资集中在8-20K,西安地区平均工资约14.8K。公司通过校企合作和研发项目培养人才,持续提升技术创新能力。
2025年慕尼黑上海电子展上,龙腾半导体展示了IGBT模块、SiCMOSFET等最新产品,凸显其在汽车电子与工业能源领域的解决方案能力。未来,公司计划深化全产业链布局,目标成为全球领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商,并拓展国际市场。
龙腾半导体聚焦功率半导体器件的研发与产业化,形成了覆盖消费电子、工业能源及汽车电子等多领域的产品矩阵,核心产品包括超结功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管等系列,并以高能效、高可靠性及高性价比为显著优势。
超结功率场效应管(SuperJunction VDMOS)
具备高压、低导通电阻特性,适用于开关电源、LED驱动电源等场景,是消费电子和工业电源领域的关键器件。
屏蔽栅沟槽场效应管(Shielding Gate VDMOS)
通过沟槽结构优化,实现低栅极电荷和快速开关性能,广泛应用于充电器、适配器及服务器电源。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
兼具MOSFET的驱动简单和双极型晶体管的高耐压、大电流特性,主要用于新能源汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器等中大功率场景,市场需求增长迅速。
快恢复二极管(FRD)
作为高频整流器件,搭配IGBT或MOSFET使用,提升电力电子变换器的效率,适用于电焊机、UPS等设备。
多场景适配性:覆盖低压至高压全电压等级,满足从消费级小功率到工业级大功率的多样化需求。
国产化替代能力:依托自建的8英寸功率半导体晶圆生产线(年产60万片),实现核心器件自主可控,响应国内功率半导体市场的国产替代趋势。
研发持续迭代:通过陕西省新型功率半导体工程研究中心等平台,推动产品技术升级,例如在IGBT模块和碳化硅器件领域的研发投入,强化汽车电子和新能源领域的竞争力。
目前,龙腾半导体的产品已在新能源汽车充电桩、车载充电机等汽车电子领域实现突破,并持续向光伏逆变器、工业变频器等增长型市场渗透,未来计划进一步拓展国际市场,提升全球份额。