龙腾半导体的多层外延产品主要包括超结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）器件。这些产品采用了先进的多层外延工艺，这是一种在硅衬底上通过多次掺杂和热推进来生长多层掺杂不同的外延层的技术。这种工艺可以实现高电压承受能力和低导通电阻的特性，使得超结MOSFET非常适合用于需要高效能功率管理的应用场景。

超结MOS工艺介绍

多层外延工艺 (Multi-EPI)

• 开发背景：多层外延工艺是较早被开发出来的、较为成熟的超结MOS制造技术。

• 工艺特点：

  • 基于平面硅生长技术。

  • 通过在外延生长过程中形成多个PN结来构建超结结构。

  • 具有更高的电压承受能力以及更低的导通电阻。

  • 相比传统SuperJunction技术，能够进一步降低生产成本。

• 优点：

  • 在漏电控制、高温可靠性及长期可靠性方面表现优异。

  • 动态特性优良，因为整个外延过程基于平整界面生长，减少了外延位错缺陷。

• 缺点：

  • 制备工艺相对复杂，导致成本较高。

  • 光刻控制难度较大。

深沟槽工艺 (Deep-Trench)

• 工艺特点：

  • 一种更为巧妙且相对简单的实现超结技术的方法。

  • 首先通过外延设备生长一层几十微米厚的外延层。

  • 然后利用深槽刻蚀设备雕刻出高宽比很大的沟槽，并通过外延方式填充该沟槽以形成P柱结构。

• 优点：

  • 工艺简单，成本较低。

  • 减少了晶体缺陷，从而提高了产品的可靠性和稳定性。

• 缺点：

  • 沟槽侧边与底部蚀刻形貌难以精确控制至平滑状态。

  • 在深宽比大的情况下，外延填充时容易在沟槽底部产生不规则空洞，影响芯片长期工作时的可靠性。

  • 由于界面接近突变结，动态特性相对较差，在应用中可能面临一定挑战。

这两种工艺各有优劣，选择哪一种取决于具体的应用需求、制造工艺的可行性以及其他因素如成本考量等。对于追求高性能但预算有限的情况，深沟槽工艺可能是更经济的选择；而对于那些对器件性能有着极高要求的应用，则可能会倾向于采用多层外延工艺。龙腾半导体提供的超结MOSFET产品线涵盖了多种规格和技术参数，适用于新能源汽车、充电桩、通信电源等多个领域。

以下为龙腾650V 多层外延产品具体规格：