以下是碳化硅MOS（SiC MOSFET）主要品牌及其工厂规模的梳理，结合技术布局和市场竞争格局分析：

一、国际品牌

1. 英飞凌（Infineon）（德国）

   • 工厂规模：马来西亚居林工厂三期项目建成后将成为全球最大8英寸碳化硅晶圆厂，总投资超50亿欧元，覆盖衬底到封装全产业链。

   • 技术优势：车规级产品市占率领先，覆盖650V-1200V电压范围，主攻电动汽车主驱逆变器市场。

2. 意法半导体（STMicroelectronics）（瑞士）

   • 工厂规模：全球布局研发中心，意大利、法国等地设有生产基地，碳化硅产能持续扩张以满足车规需求。

   • 市场地位：全球前五大厂商之一，占约70%市场份额，主攻电动汽车和工业领域。

3. 罗姆（Rohm）（日本）

   • 工厂规模：在日本、东南亚等地设有SiC晶圆厂，2023年宣布投资5.1亿美元扩产，目标2030年碳化硅营收占比超30%。

   • 技术特点：早期布局碳化硅商业化，产品覆盖650V-1700V，与车企深度合作。

4. 安世半导体（Nexperia）（荷兰）

   • 工厂规模：荷兰总部主导研发，美国、马来西亚设厂，2024年启动8英寸碳化硅晶圆试产，计划2025年量产。

   • 应用领域：聚焦电动汽车驱动系统和工业变频器。

5. Wolfspeed（美国）

   • 工厂规模：全球首家量产8英寸碳化硅衬底，2024年衬底产能支撑25%晶圆产线利用率，计划进一步扩产。

   • 市场定位：衬底供应龙头，覆盖车规级和工业级市场。

二、中国品牌

1. 三安光电（Sanan）

   • 工厂规模：湖南三安拥有16,000片/月6英寸产能，8英寸衬底试生产，车规级MOSFET进入验证阶段。

   • 技术进展：工规级1700V/1Ω和1200V/32mΩ产品已在光伏和充电桩领域小规模出货。

2. 士兰微（Silanw）

   • 工厂规模：2024年开工8英寸SiC产线，总投资120亿元，规划产能6万片/月，2025年三季度通线。

   • 产品布局：工规级MOSFET量产，车规级产品验证中。

3. 比亚迪半导体

   • 工厂规模：2024年下半年投产全球最大碳化硅工厂，产能为第二名的十倍，覆盖车规全产业链。

   • 市场目标：打破海外垄断，主攻新能源汽车主驱逆变器。

4. 中电科55所

   • 技术地位：国内最早实现碳化硅MOSFET量产，聚焦军工和高端工业领域。

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   • 泰科天润（中国碳化硅功率器件核心厂商之一）的工厂规模及技术布局梳理：

5.泰科天润 湖南浏阳基地

• • 6英寸产线：一期工程于2023年建成，年产能6万片；2024年扩建二期后总产能提升至10万片/年。

  • 应用领域：主要生产SiC二极管、MOSFET等器件，覆盖光伏逆变器、充电桩、电动汽车等领域。

• 北京顺义总部基地

  • 8英寸产线：2023年启动建设，计划2025年通线投产，2028年达产后年产2万片8英寸晶圆。

  • 功能定位：集研发中心、总部办公及高端器件生产于一体，重点服务新能源汽车、国家电网等市场。

• 二、产能扩张与投资情况

• 投资规模：湖南基地总投资约5亿元（一期），北京基地一期投资4亿元，累计投资超9亿元。

• 设备与技术：湖南基地新增生产设备实现6英寸晶圆全流程生产，北京基地引入8英寸先进工艺设备。

• 三、技术布局与产品线

• 核心产品：

  • 650V-3300V碳化硅二极管（SBD），覆盖1A-100A电流范围；

  • 1200V SiC MOSFET，已实现批量销售。

• 技术优势：通过国际认证（如AEC-Q101、DNV·GL等），产品性能对标国际大厂。

• 四、产业链整合与市场应用

• IDM模式：覆盖衬底、晶圆制造、器件封装全产业链，自主可控能力突出。

• 应用领域：

  • 新能源：光伏逆变器、储能系统；

  • 电动汽车：OBC、车载DC-DC；

  • 工业：通信电源、服务器电源。

• 五、行业地位与发展规划

• 国内领先：中国首家实现碳化硅器件量产的IDM企业，累计流片超3万片，通过一线大厂审厂。

• 目标规划：2025年8英寸产线投产后，进一步打破国际垄断，提升车规级产品占比

三、市场竞争格局

• 头部集中度高：全球前五大厂商（英飞凌、ST、Wolfspeed、罗姆、安森美）占据约70%市场份额。

• 技术迭代加速：国际大厂主导8英寸产线升级（如英飞凌、Wolfspeed），中国厂商主攻6英寸产能扩张（三安、士兰微）。

• 应用场景：电动汽车占碳化硅市场77%，预计2029年占比增至82%。

数据来源与扩展

• 全球市场规模：2023年约27亿美元，预计2029年达104亿美元