材料方面

• 碳化硅 MOSFET：以碳化硅（SiC）为基础材料，碳化硅是一种化合物半导体。其禁带宽度是硅的 3 倍，导热率为硅的 4-5 倍，击穿电压为硅的 8-10 倍，电子饱和漂移速率为硅的 2-3 倍。

• 超结 MOS：一般以硅（Si）为基础材料，通过特殊的超结结构设计来提升性能。

结构方面

• 碳化硅 MOSFET：具有垂直导电结构，常见的有沟槽型和平面型等，内部有一个基于 pn 二极管的强大本体二极管。

• 超结 MOS：通过在 D 端和 S 端排列多个垂直 pn 结的结构，形成超结结构，超级结中通常使沟槽和沟槽间距尽可能小和深。

性能特点方面

• 导通电阻

  • 碳化硅 MOSFET：导通电阻相对超结 MOS 在同功率等级下可能更低，且碳化硅材料特性使得其导通电阻随温度变化较小。

  • 超结 MOS：相比普通高压 VDMOS，导通电阻大幅下降，并且额定电压越高，导通电阻下降越明显。

• 开关速度

  • 碳化硅 MOSFET：开关速度极快，能在更高的频率下工作，且由于不存在少数载流子，关断时无尾电流，关断损耗极小。

  • 超结 MOS：开关速度也较快，但通常比碳化硅 MOSFET 稍慢，存在一定的反向恢复问题，反向恢复电流相对较大。

• 输出电容

  • 碳化硅 MOSFET：输出电容电荷（Qoss）明显较低，且与漏电压特性的电容变化更平滑。

  • 超结 MOS：输出电容相对较大，不过通过优化设计也能在一定程度上降低。

• 耐压能力

  • 碳化硅 MOSFET：凭借碳化硅材料高击穿场强的特性，可实现较高的耐压，一般可达到 1200V 及以上，甚至更高电压等级。

  • 超结 MOS：通常能满足 500V、600V、650V 及以上的高电压应用场合。

应用场景方面

• 碳化硅 MOSFET：主要应用于对效率、功率密度和开关速度要求极高的领域，如智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G 通信等中的高频、高压、大功率场景。

• 超结 MOS：广泛应用于中低功率水平下需要高速运行的电路，如电源适配器、LED 照明驱动、服务器电源、家电等领域中的高压开关应用。

成本方面

• 碳化硅 MOSFET：由于碳化硅材料的制备工艺复杂，生产难度大，以及目前的市场规模相对较小等因素，成本较高。

• 超结 MOS：基于成熟的硅工艺，成本相对较低，在市场上具有一定的价格优势。