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绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

名称:绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

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采用第三代DG-FET制程,DG-FET系列具有高速开关速度,业界优异的Ron-Crss表现。
由于具有缓冲效应,DG-FET系列可以抑制,比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。
RDS(on)导通电阻比其他同类元件至少降低50%,闸电荷(Qg)比其他装置少50%
20V至250V规格,可在各式电源与电机驱动中实现更高效率。肖特基二极管供应商肖特基二极管供应商
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点击次数:  更新时间:2020-03-10 16:17:09  【打印此页】  【关闭