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碳化硅二极管与肖特基整流管的原理区别

  碳化硅二极管比PN结元器件的个人行为特点更像一个理想化的电源开关。肖特基二极管最重要的2个性能参数便是它的低反向恢复正电荷(Qrr)和它的修复软化系数。低Qrr在二极管工作电压换为反方向参考点时,关掉过程中所需時间,即反向恢复時间trr大大缩短。下列列出肖特基二极管trr低于0.01彼此之间。有利于用以高频率范畴,有材料详细介绍其输出功率达到1MHz(也是有报导达到100GHz)。高软化系数会降低二极管关掉所造成的EMI噪音,减少调速实际操作影响。
碳化硅二极管生产厂家
  碳化硅二极管还有一个比PN结元器件优异的指标值是正指导接电源放低,具备低的通断耗损。碳化硅二极管也是有2个缺陷,一是反方向抗压VR较低,一般仅有100V上下;二是反方向泄露电流IR很大。
 
  碳化硅二极管是贵重金属(金、银、铝、铂等)A为正级,以N型半导体B为负级,运用二者表面上产生的势垒具备整流器特点而做成的金属材料-半导体元器件。由于N型半导体中存有着很多的电子器件,贵重金属中仅有少量的自由电荷,因此 电子器件便从浓度值高的B中往浓度值低的A中外扩散。显而易见,金属材料A中沒有空化,也就不会有空化自A向B的外扩散健身运动。伴随着电子器件持续从B外扩散到A,B表层电子器件浓度值慢慢减少,表层电荷平衡被毁坏,因此就产生势垒,其电场方向为B→A。但在该静电场功效之中,A中的电子器件也会造成从A→B的飘移健身运动,进而消弱了因为外扩散健身运动而产生的静电场。当创建起一定总宽的空间电荷区后,静电场造成的电子器件飘移健身运动和浓度值不一样造成的电子器件外扩散健身运动做到相对性的均衡,便产生了肖特基势垒。
 
  典型性的肖特基整流管的內部电源电路构造是以N型半导体为衬底,在上面产生用砷作掺杂剂的N-外延性层。阳极氧化应用钼或铝等原材料做成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来清除边沿地区的静电场,提升水管的抗压值。N型衬底具备不大的通态电阻器,其夹杂浓度值较H-层要高100%倍。在衬底下面产生N+负极层,其功效是减少负极的回路电阻。根据优化结构主要参数,N型衬底和阳极氧化金属材料中间便产生肖特基势垒,如下图所示。当在肖特基势垒两边再加顺向偏压(阳极氧化金属材料插线正级,N型衬底插线负级)时,肖特基势垒层变小,其内电阻缩小;相反,若在肖特基势垒两边再加反方向偏压时,肖特基势垒层则变大,其内电阻增大。
 
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点击次数:  更新时间:2020-06-23 16:29:52  【打印此页】  【关闭