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肖特基二极管的结构特征所在

  肖特基二极管是一种多数载流子传导器件,没有少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充放电时间,与PN结二极管的反向恢复时间完全不同。由于肖特基二极管的反向恢复电荷非常小,开关速度非常快,开关损耗非常小,特别适合高频应用。然而,肖特基二极管的反向击穿电压相对较低,因为其反向势垒较薄,表面容易击穿。因为肖特基二极管比PN结二极管更容易热击穿,所以反向漏电流比PN结二极管大。
肖特基二极管生产厂家
  肖特基二极管具有开关频率高、正向电压降低的优点,但其反向击穿电压相对较低,大多不高于60V,最多只有100V左右,限制了其应用范围。例如,开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级100伏以上的高频整流二极管、RCD缓冲电路600伏至1.2千伏的高速二极管、PFC升压用600伏二极管等。仅使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。
 
  UFRD的反向恢复时间Trr也超过20ns,这根本不能满足SMPS在空间站等领域1兆赫至3兆赫的需要。即使硬开关是100千赫SMPS,由于UFRD的大的传导损耗和开关损耗均以及高的外壳温度,需要大的散热器,这增加了SMPS的体积和重量,并且不符合小型化和薄型化的发展趋势。因此,研制100伏以上的高压肖特基二极管一直是一个研究课题和热点。近年来,肖特基二极管取得了突破性进展,150伏和200伏高压肖特基二极管已上市,SBD  1kV以上新材料已成功开发,为其应用注入了新的生机和活力。
 
  肖特基二极管的最大缺点是反向偏置电压低,反向漏电流大。例如,由硅和金属制成的肖特基二极管,其反向偏置电压的额定耐受电压仅高达50V,而反向漏电流的值是正温度特性,易于随着温度的升高而迅速增加。在实际设计中,应注意热失控的隐患。为了避免上述问题,实际使用中肖特基二极管的反向偏置电压远远小于其额定值。然而,肖特基二极管的技术也得到了改进,其反向偏置电压可高达200伏。
 
  上述所讲解的就是肖特基二极管的结构特征所在,希望看完能够对您有所帮助,如果您想要了解更多关于肖特基二极管的相关信息的话,欢迎在线咨询客服或是拨打本公司服务热线(网站右上角)进行咨询,我们将竭诚为您提供优质的服务!
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点击次数:  更新时间:2020-05-22 10:10:31  【打印此页】  【关闭
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