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行业动态

绿星电子MOSFET DG-FET™ 金属氧半场效电晶体制程工艺介绍

导语:绿星电子的功率元件可在各式电源与电机驱动应用中实现更高的效率,功率密度和成本效益。 DG-FET™和SuperTrench™产品组合涵盖20V至200V规格,可同时解决低开关频率和高开关频率问题。

DG-FET介紹

肖特基二极管供应商

现代科技对运算功率的需求日益增高,云端运算、物联网及社交媒体等主流趋势,更是发挥了推波助澜的作用。能源消耗量因此大增,电源转换链也因此需要更高的能源效率。

新一代 DG-FET™ 拥有比其他同类元件都更低的品质因数 (FOM:RDS(on)×QG),所采用的技术可大幅降低系统设计中的导通损失与切换损失。
DG-FET™ 元件的 RDS(on) (导通电阻) 比其他同类元件至少降低50%,亦即在高电流应用下可达到最低的功率耗损。其闸电荷 (Qg) 比其他装置少65%,为同类元件最低,可在开关应用如电信设备的隔离型直流/直流转换器中,达到低功耗及快速切换的优点。

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与传统沟槽式MOS比较:

颠覆传统MOSFET技术的DG-FET™是利用额外的多晶矽闸来达成电荷平衡。藉由电荷平衡的方式,将致使原本MOSFET的空乏区电 场由一维电荷变为由二维的电荷分布所决定。

因此其崩溃电压将较传统的沟槽式MOSFET为高。

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若将DG-FET™与现今传统的沟槽式MOSFET相比,为具有相同崩溃电压之元件,但DG-FET™可以进一步降低磊晶层的阻值,因而可以获得较低的导通阻抗.

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另外,由于开关杂讯更低,因此采用DG-FET™技术也能有效大幅降低汲级电荷。

 

Silicongear DG-FET™与友商公司Trench关键参数MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 测试启机状态次级驱动电压:

      SX088R06VT 1.86V VS. DG100N03S 0.84V
2 - 次级驱动电压上升斜率会随SR-Gate 对地电容容量的增加而变低。(影响开关损耗)
3 – 效率
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4 – 温度    SX088R06 97.5 degree        DG100N03S 89.2 degree
 
产品对比:
更低的导通阻抗: RDS(ON) at Vgs=10V, 7mΩ vs. 10mΩ
● 更小的芯片尺寸,提高竞争优势
● 更低的内部寄生电荷,进而创造更佳的切换效率
● 小型化薄型封装:PDFN 3.3x3.3-8L

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总结:绿星MOSFET,DG-FET系列具有高速开关速度,业界优异的Ron-Crss表现。

由于具有缓冲效应,DG-FET系列可以抑制,比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。RDS(on)导通电阻比其他同类元件至少降低50%,闸电荷(Qg)比其他装置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™产品组合涵盖20V至200V规格,可同时解决低开关频率和高开关频率问题。

 

 

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点击次数:  更新时间:2020-03-20 13:43:40  【打印此页】  【关闭