当前位置网站首页 » 新闻中心 » 行业动态

行业动态

锐骏低压mos的选型

低压MOSFET快速替代的时候遵循以下5点:

1,匹配封装

2,沟道类型(NMOS、PMOS)

3,电压Vds

4,内阻RDS(on)-----要注意在同样的VGS(TH)测试条件下对比

5,阀值电压VGS(TH)

6,匹配栅极电荷量Qg,或者电容Ciss,Coss,Crss(会影响开关损耗)-----低压MOS对此类参数要求并不高,如果客户应用开关频率较高,需要确认开关速度越快优点是开关损耗越小,效率高,温升低。对应的缺点是EMI特性差,MOSFET关断尖峰过高

以下是MOSFET主要参数:

VDS:漏源电压(VDSS)Drain to Source Voltage DS未发生击穿前所能施加的最大电压。VDS一定要留余量,为了考虑低温时,和恶劣条件下开关机的VDS电压尖峰。

ID:连续电流 Continuous Drain Current 漏源最大单脉冲电流,也称连续电流。条件是在最大额定结温TJ(max)下,管表面温度在25℃或者更高,温度下,ID会随温度的升高而降低

VGS 栅漏电压 Gate to Source Voltage 最大GS电压. 指在GS两极间可以放加的最大电压。

VGS(th) 开启电压 Gate threshold voltage 这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压,标记为Vgs(th),一般N-MOSFET的话,这个电压一般是2-4V之间。

Rds(on) 导通电阻 Drain to source on state resistance 越小越好,直接决定MOSFET的导通损耗,Tj增加Rds(on)增大,即是正温度系数

PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好

Tj 最大工作结温 通常为150度和175度

Fm 最高工作频率 最高工作频率,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性变差。肖特基的Fm值较高,最大可达100GHz。

Trr 反向恢复时间 当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际一般要延迟一点时间,决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。这个值不一定小就好,要合适。

Qg 栅极总充电电量 Total gate charge

Ciss 输入电容 Input capacitance 输入电容 =Cgs+Cgd ,该参数影响到MOSFET的开关时间,Ciss越大,同样驱动能力下,开通及关断时间就越慢,开关损耗也就越大,这也是在电源电路中要加加速电路的原因,但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性

Coss 输出电容 Output capacitance 输入电容 =Cds+Cgd

Crss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向传输电容 =Cgd(米勒电容),影响漏极有异常高电压时,传输到MOSFET栅极电压能量的大小,会对雷击测试项目有一定影响

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU3560L N N 40 1.5-2.5 50 13 18   TO-252
RU4090L N N 40 2-4 90 4     TO-252
RU4030M2 N N 40 1-2.5 30 11 14   DFN3333
RU40120R N N 40 2-4 120 3.5     TO-220
RU40120M N N 40 2-4 120 2.7     DFN5060
RU40120S N N 40 2-4 120 3.5     TO-263
RU40150R N N 40 2-4 150 3     TO-220
RU40190R N N 40 2-4 190 2.5     TO-220
RU40191S N N 40 2-4 190 1.8     TO-263
RU55110R N N 55 2-4 110 5     TO-220
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
Part NO. Channel ESD  Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
2N7002EB N Y 60 1.35 0.2 2500 2500   SOT23
RU60D5H Dual-N Y 60 1-2.5 5.4 32 40   SOP-8
RU60E16L N Y 60 1.5-2.7 16 60 75   TO-252
RU60E25L N Y 60 1.5-2.7 25 35 42   TO-252
RU602B N N 60 2-4 1.5 220     SOT23
RU60D10H Dual-N N 60 1-3 10 20 22   SOP-8
RU6035M3 N N 65 1-2.5 30 18 20   DFN3030
RU6050L N N 60 2-4 50 10     TO-252
RU6055L N N 60 2-4 60 10     TO-252
RU6888M N N 60 2-4 62 7     DFN5060
RU6070L-A N N 60 2-4 70 6     TO-252
RU6080L N N 60 2-4 80 7     TO-252
RU6085H N N 60 1-3 20 6 6.5   SOP-8
RU6099R N N 60 2-4 120 6     TO-220
RU6099S N N 60 2-4 120 6     TO-263
RU6199S N N 60 2-4 200 2.8     TO-263
RU6199R N N 60 2-4 200 2.8     TO-220
RU60200R N N 60 2-4 230 2.5     TO-220
RU6888R N N 68 2-4 88 6     TO-220
RU6888S N N 68 2-4 88 6     TO-263
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
Part NO. Channel ESD  Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU7080L N N 70 2-4 80 5.7     TO-252
RU7080R N N 70 2-4 80 7     TO-220
RU7080S N N 70 2-4 80 7     TO-263
RU7088R N N 70 2-4 80 6.5     TO-220
RU7570L N N 75 2-4 70 9     TO-252
RU75N08R N N 75 2-4 80 8     TO-220
RU75N08S-AR N N 75 2-4 80 8     TO-263
RU75N08L N N 75 2-4 80 8     TO-252
RU75110R N N 75 2-4 110 5.5     TO-220
RU75110S N N 75 2-4 110 5.5     TO-263
RU75230S N N 75 2-4 230 2.6     TO-263
RU7588R N N 80 2-4 80 7     TO-220
RU190N08R N N 80 2-4 190 3.9     TO-220
RU190N08S N N 80 2-4 190 3.9     TO-263
RU8590R N N 85 2-4 90 5.8     TO-220
RU8590S N N 85 2-4 90 5.8    

TO-263

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
Part NO. Channel ESD  Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU1HE12L N Y 100 1.5-2.7 12 145 160   TO-252
RU1HE16L N Y 100 1.5-2.7 16 70 85   TO-252
RU1H35L N N 100 2-4 40 21     TO-252
RU1H35S N N 100 2-4 40 21     TO-263
RU1H35R N N 100 2-4 40 21     TO-220
RU3710S N N 100 2-4 60 14     TO-263
RU3710R N N 100 2-4 60 14     TO-220
RU1H180R N N 100 2-4 180 4.5     TO-220

 

Trench MOSFET
P-MOSFET Catalog
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
-10V -4.5V -2.5V
RU3415EB P Y -20 -1--0.4 -4   38 50 SOT23
RU20P7C P N -20 -1.1--0.4 -5   20 30 SOT23-3
RU20P7C6 P N -20 -1.1--0.4 -5   20 30 SOT23-6
RU20P17M2 P N -20 -1.1--0.4 -9.3   16 28 DFN3333
RU20P3B P N -20 -1--0.5 -3   80 110 SOT23
RU20P4C6 P N -20 -1.1--0.4 -4   35 45 SOT23-6
RU20P90M P N -20 -1.1--0.4 -13   1.9 2.4 DFN5060
RU4953H Dual-P N -20 -1.1--0.4 -5   62 75 SOP-8
RU30P3B P N -30 -2.5--1 -3.5 60 80   SOT23
RU30S15H Dual-P Y -30 -2.5--1 -15 15 18   SOP-8
RU3401C P N -30 -1.2--0.5 -5 40 45   SOT23-3
RU30L15H P Y -30 -2.5--1 -14.5 15 18   SOP-8
RU30L30M3 P Y -30 -2.5--1 -9.3 10 13   DFN3333
RU30L40M3 P Y -30 -2.5--1 -12 6 8   DFN3333
RU30L70L P Y -30 -2.5--1 -70 5.5 6.5   TO-252
RU30C10H N+P Y ±30 1-2.4 10 20 25   SOP-8
-2.4--1 -10 22 30  
RU30C30M N+P Y ±30 1-2.5 30 7.5 10   DFN5060
-2.5--1 -30 13 22  
RU40C40M N+P Y ±40 1-2.5 40 12 17   DFN5060
-2.5--1 -40 21 30  
RU40L10H P Y -40 -2.5--1 -9.5 19 30   SOP-8
RU40L10L P Y -40 -2.5--1 -32 20 30   TO-252

 深圳锐骏半导体股份有限公司(Ruichips)是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业,现有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大类产品线、数百种型号,累计获得国家发明专利18项,尤其是锐骏独创的TO- 220内绝缘封装技术,彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。

分享到:
点击次数:  更新时间:2022-05-07 09:25:31  【打印此页】  【关闭