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行业动态

MOSFET(场效应管)的三种工艺区别

目前MOS工艺主要分为三类:Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1   Trench MOSFET    沟槽工艺,具有导通电阻小,寄生电容小,开关速度快等优点

2    High-Performance-Advanced Trench MOSFET SGT工艺,是屏蔽沟槽工艺,屏蔽深沟槽工艺,这个是基于传统沟槽式 MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率 MOSFET。相比于传统 U-MOSFET 功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。

3    Super-Junction MOSFET超结MOSFET,具有更低的通态阻抗,更低的传导损耗,更低的开启电压,更快的开关速度,低的栅极电荷Qg等。它的缺点,在开关电源系统应用会出现EMI可能超标;栅极震荡;抗浪涌及耐压能力差;漏源极电压尖峰比较大等等。

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点击次数:  更新时间:2022-04-25 09:30:49  【打印此页】  【关闭