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新闻中心

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2021/02

了解MOS的层层面面,从品牌到封装再到应用。

了解MOS的层层面面,从品牌到封装再到应用。看完这篇,请不要再说不懂MOSFET!

了解MOS的层层面面,从品牌到封装再到应用。

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2021/07

美瑞电子带您了解市场上常见MOS管品牌

美瑞电子提供降低功耗,提升效能的产品组合,包含:低压MOS,CoolMOS,肖特基二极管,LOWVF肖特基,低压MOS,碳化硅二极管等元器件,推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。

美瑞电子带您了解市场上常见MOS管品牌

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2021/07

QC快充上的CET华瑞MOS物料应用

一次侧(高压侧)需使用高耐压,高速MOSFET如CEP1ON6,CEUO7N65A,CEPO7N65LN,CEP10N65,CEUO6N7,CEPO7N7,CEPO9N7G,二次侧同步整流需使用高速低导通电阻MOSFET如CEM6056L, CEM6086L, CEM1310SL, CEM1210L,CEZ6515 ,..

QC快充上的CET华瑞MOS物料应用

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2021/07

台湾虹扬持續推出ESD、ESDArray新品!

封裝包含SOD-323 / SOD-523 / DFN1006 / DFN0603 / DFN2510/ DFN1610-6L,詳細規格資訊請見附檔

台湾虹扬持續推出ESD、ESDArray新品!

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2021/07

MOSFET特性的温度依赖性

MOSFET特性的温度依赖性,MOS的阈值电压VT随温度降低。另一方面,迁移率μn随温度降低,决定Ron的所有主要因素中,Ron随着温度升高。

MOSFET特性的温度依赖性

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2021/07

MOS管开关管损耗计算方法公式详解

功率MOSFET可以实现的最大开关频率依赖于开关损耗。每个脉冲周期的能量损耗就像其他器件一样是可以估算的,可通过在开通和关断过程中对V(t)和i(t)的乘积进行积分计算。

MOS管开关管损耗计算方法公式详解

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2021/07

MOS管的基本工作原理简述

对MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的基本结构,要理解MOSFET的功能,或许要首先研究一下半导体表面。由于缺乏相邻的原子,某种半导体的表面总是其理想晶格的一种被扰乱的形态。因此,表面常常会生长一层薄的氧化层或吸附一些其他原子和分子。

MOS管的基本工作原理简述

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2021/07

美瑞电子带你正确认识肖特基二极管

美瑞电子带你正确认识肖特基二极管,统懋半导体是一家在台湾证券交易所上市的企业,自1987年以来致力于肖特基和快恢复二极管的产品开发,生产和销售。并通过了ISO9001,14001及ISO/TSI16949品质认证。统懋肖特基二极管具有极高的耐温特性和极低的漏电流IR及顺向压降VF。

美瑞电子带你正确认识肖特基二极管
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