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30V低压MOS 绿星SG30N04E DFN3*3

名称:30V低压MOS 绿星SG30N04E DFN3*3

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30V低压MOS 绿星SG30N04E DFN3*3

颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。

台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。

美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。

肖特基二极管供应商

标签:  30V低压MOS
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点击次数:  更新时间:2020-04-27 15:37:15  【打印此页】  【关闭