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HCD65R320S超结MOS650V-美瑞电子

名称:HCD65R320S超结MOS650V-美瑞电子

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    SEMIHOW专注Cool MOS研发生产,使用SAMSUNG(三星)晶圆。

    通过使用多层外延工艺技术,相对于沟槽工艺,多层外延EMI,EMC更容易通过,且抗雪崩能力更强。
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HCD65R320规格书

Super Junction MOSFET

肖特基二极管供应商

Type

N-Ch SJ MOS (S3)

Package

D-PAK

VDS [V]

650

ID [A]@25℃

12.3

RDS(ON) [Ω] (max.)@VGS=10V

0.32

VGS(th) [V](min.)

2

VGS(th) [V](max.)

4

PD [W]@25℃

106

Qg [nC]

27

EAS [mJ]

165

Option

ESD Zener

 

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点击次数:  更新时间:2020-12-20 22:35:12  【打印此页】  【关闭