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SEMIHOW 800V电压CoolMOS产品选型表

名称:SEMIHOW 800V电压CoolMOS产品选型表

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    联系人:曾先生 153-3800-0102

    SEMIHOW(韩国先进半导体) 专注Cool MOS研发生产销售 ,使用SAMSUNG(三星)晶圆。

    通过采用领先的多层外延工艺技术,相对于沟槽工艺,多层外延EMI,EMC更容易通过,且抗雪崩能力更强
    每一颗MOS内置ESD静电保护,有效承受2KV标准。
    核心的技术平台来自于安森美,具有卓越的性能和出众的可靠性。
    CoolMOS应用在高效率多形态电源产品;相对于平面MOS:RDS(on)值导通电阻小,效率高。
    目前推出的量产品种包含600V~900V的电压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择
  • 产品详情

Part Name Type Technology Package VDS [V] ID [A]
@25℃
RDS(on) [Ω] (max.) VGS(th) [V] PD [W]
@25℃
Qg [nC] EAS [mJ]
            @VGS=10V (min.) (max.)      
HCU80R850(미완성) N-Ch SJ MOS S3 I-PAK 800 6.6 0.85 2 4 66 13.7 84
HCD80R850 N-Ch SJ MOS S3 D-PAK 800 6.6 0.85 2 4 66 13.7 84
HCI80R850(미완성) N-Ch SJ MOS S3 I2-PAK 800 6.6 0.85 2 4 66 13.7 84
HCW80R850(미완성) N-Ch SJ MOS S3 D2-PAK 800 6.6 0.85 2 4 66 13.7 84
HCP80R850(미완성) N-Ch SJ MOS S3 TO-220 800 6.6 0.85 2 4 66 13.7 84
HCS80R850S N-Ch SJ MOS S3 TO-220FS 800 6.6 0.85 2 4 27 13.7 84
HCS80R850ST N-Ch SJ MOS S3 TO-220FT 800 6.6 0.85 2 4 27 13.7 84
HCU80R670 N-Ch SJ MOS S3 I-PAK 800 8 0.67 2 4 78 17.4 90
HCD80R670 N-Ch SJ MOS S3 D-PAK 800 8 0.67 2 4 78 17.4 90
HCW80R670 N-Ch SJ MOS S3 D2-PAK 800 8 0.67 2 4 78 17.4 90
HCP80R670 N-Ch SJ MOS S3 TO-220 800 8 0.67 2 4 78 17.4 90
HCS80R670S N-Ch SJ MOS S3 TO-220FS 800 8 0.67 2 4 29 17.4 90
HCD80R380 N-Ch SJ MOS S3 D-PAK 800 13 0.38 2 4 114 29 171
HCW80R380 N-Ch SJ MOS S3 D2-PAK 800 13 0.38 2 4 114 29 171
HCP80R380 N-Ch SJ MOS S3 TO-220 800 13 0.38 2 4 114 29 171
HCS80R380S N-Ch SJ MOS S3 TO-220FS 800 13 0.38 2 4 32 29 171
HCA80R250 N-Ch SJ MOS S3 TO-247 800 18 0.25 2 4 139 43 246
HCI80R250(미완성) N-Ch SJ MOS S3 I2-PAK 800 18 0.25 2 4 139 43 246
HCW80R250 N-Ch SJ MOS S3 D2-PAK 800 18 0.25 2 4 139 43 246
HCS80R250S N-Ch SJ MOS S3 TO-220FS 800 18 0.25 2 4 33 43 246

 

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点击次数:  更新时间:2020-09-25 17:07:14  【打印此页】  【关闭