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扬杰IGBT单管产品系列

扬杰IGBT单管产品系列
产品参数

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产品详情

扬杰IGBT单管
Product NamePackageVCES _Min(V)IC @ TC=80℃(A)VCE(sat) _Typ(V)Eon+Eoff typ. Tj=125℃ (mJ)Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0TO-263650151.40.651.35
DGB20N65CTL0TO-263650201.60.831.25
DGF10N65CTL0TO-220F650101.40.714.8
DGF15N65CTL0TO-220F650151.40.654.4
DGF20N65CTL0TO-220F650201.60.834
DGL50N120CTL0DTO-2641200501.811.640.3
DGL75N120CTL1JTO-2641200751.622.60.27
DGP10N65CTL0TO-220650101.40.711.5
DGP15N65CTL0TO-220650151.40.651.35
DGP20N65CTL0TO-220650201.60.831.25
DGQ100N65CTL1DTO 247 plus6501001.257.20.35
DGQ100N65CTS1DTO 247 plus6501001.355.50.35
DGQ160N65CTL1DTO 247 plus6501601.718.50.17
DGQ75N120CTH0DTO 247 plus1200752150.2
DGQ75N120CTH1BTO 247 plus1200752.111.70.25
DGQ75N120CTL0DTO 247 plus1200751.8515.90.2
DGW100N65CTL1DTO-2476501001.257.20.35
DGW100N65CTS1DTO-2476501001.355.50.35
DGW10N120CTLTO-2471200101.852.230.95
DGW15N120CTLTO-2471200151.903.950.75
DGW15N120CTL0BTO-2471200151.83.640.78
DGW20N65CTL0TO-247650201.60.831.25
DGW25N120CTLTO-2471200251.854.60.46
DGW30N65BTHTO-247650301.951.750.8
DGW30N65CTHTO-247650301.951.750.8
DGW30N65CTLTO-247650301.851.710.8
DGW40N120CTH1ATO-2471200401.857.20.4
DGW40N120CTLTO-2471200401.858.10.35
DGW40N120CTL0DTO-2471200401.758.620.3
DGW40N120CTL1ATO-2471200401.77.80.4
DGW40N65BTHTO-247650401.952.40.6
DGW40N65CTHTO-247650401.952.450.49
DGW40N65CTLTO-247650401.81.950.6
DGW40N65CTL0TO-247650401.551.860.8
DGW50N65BTHTO-247650501.953.240.5
DGW50N65CTHTO-247650501.953.240.5
DGW50N65CTH2ATO-247650501.62.560.53
DGW50N65CTL0TO-247650501.72.260.7
DGW50N65CTS2ATO-247650501.42.690.53
DGW60N65BTHTO-247650602.14.270.45
DGW75N65CTH2ATO-247650751.654.370.35
DGW75N65CTS2ATO-247650751.454.640.35
DGZ50N65CTH2ATO-247-4L650501.62.560.53
DGZ50N65CTS2ATO-247-4L650501.42.690.53
DGZ75N65CTH2ATO-247-4L650751.653.590.35
DGZ75N65CTS2ATO-247-4L650751.453.860.35
DGZC75N65CTH2ATO-247-4L650751.653.590.35
DGZC75N65CTS2ATO-247-4L650751.453.860.35

扬杰IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,它结合了双极型(BJT)和场效应晶体管(FET)的特性。

IGBT单管在现代电力电子和功率电子领域中被广泛应用,因为它具有高效率、高速度和高功率密度等优点。

IGBT单管的核心是一个PNP结构的双极型晶体管,其控制端有一个与之隔绝的栅极。这个栅极可以通过施加电压来控制电流的流动,

从而实现对器件的开关控制。因为栅极与电流隔离,所以它具有场效应晶体管的高输入阻抗特性,同时也具有双极型晶体管的高电流驱动能力。


IGBT单管的主要优点包括:

  1. 高效率:IGBT单管的导通压降较低,因此能够减少功率损耗,提高系统的效率。

  2. 高速度:由于具有FET的控制特性,IGBT单管的开关速度较快,适用于高频应用。

  3. 高功率密度:IGBT单管具有较高的功率密度,可以实现在小尺寸器件中传输大功率。

  4. 可靠性高:相对于其他功率器件,IGBT单管具有较高的可靠性和稳定性,适用于各种工作环境。

总的来说,IGBT单管在工业、交通、能源等领域扮演着重要的角色,为各种功率电子应用提供了高效、可靠的解决方案。

IGBT.jpg

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