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泰科天润发布1200V SiC MOSFET、2000V SiC单管和650V SiC混合单管新品

泰科天润发布1200V SiC MOSFET、2000V SiC单管和650V SiC混合单管新品

产品详情

慕尼黑上海电子展 (Electronica China)圆满收官。泰科天润在此次展会上正式发布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V系列产品和650V60A混合单管新品,吸引了国内外客户及行业人士的广泛关注。


第一款:泰科天润1200V 80mΩ SiC MOSFET

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具有更低的导通电阻,更低的开关损耗,更高的开关频率,更高的工作温度,Vth典型值超过3V。应用场景:光伏、OBC、UPS及电机驱动等。


第二款:泰科天润650V60A混合单管(Si IGBT+SiC diode)

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可大幅降低IGBT的开关损耗,提高效率,降低温升。


第三款:2000V系列产品

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适用1500V光伏系统,高效率,更可靠。


关于泰科天润:

泰科天润半导体科技(北京)有限公司成立于2011年,是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一,致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。总部坐落于北京,拥有湖南一条年产6万片/6英寸SiC半导体晶圆生产线,2023年底扩产至年产10万片。公司2023年年初北京8寸线动工,预计2025年实现年产10万片/8英寸SiC半导体晶圆。泰科天润产品已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等领域。 质量资质:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。



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