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40V低压MOS 绿星SGN01D TO-252

40V低压MOS 绿星SGN01D TO-252

产品详情

40V低压MOS 绿星SGN01D TO-252

颠覆业界传统的低压MOS制程,大幅降低RDS内阻切换损失。

台湾绿星低压MOS产品融入DG-FET深沟槽创新技术,将内阻值死磕到底,肉眼可见的出类拔萃。

美瑞电子致力于推动品质专线迈入普惠时代,带入千行百业。

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